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Visión general[editar · editar fuente]
DDR3 SDRAM permite usar integrados de 512 MiB a 8 GiB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GiB.
Características[editar · editar fuente]


Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3
Los DIMMs DDR3 tienen 240 contactos, es el mismo número que DDR2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferentede la muesca.3
Ventajas[editar · editar fuente]
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de datos más rápido,y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2.
Proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución global deconsumo eléctrico.
Desventajas[editar · editar fuente]
No hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta.
Historia[editar · editar fuente]
Se preveía, que la tecnología DDR3 pudiera ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometía ofrecer DDR3 era la mejor opción para la combinación de un sistema conprocesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes.
Teóricamente, estos módulos podían transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango del DDR2 de 400-1200 MHz ó 200-533 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero noestandarizados por JEDEC.
Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar JEDEC, para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 9-9-9-24 para DDR3-1333.
Desarrollo[editar · editar fuente]
2005[editar · editar fuente]
En 2005, Samsung Electronics anunció un chip prototipo de 512 MiB a 1.066 MHz (la misma velocidad de bus frontal del Pentium 4Extreme Edition más rápido) conuna reducción de consumo de energía de un 40% comparado con los actuales módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y tensiones (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 ó los 2,6 del DDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, comocomputadoras portátiles quizás se puedan beneficiar de latecnología DDR3.4 5
Producción

Estos son los estándares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:
Nombre estándar
Velocidad del reloj
Tiempo entre señales
Velocidad del reloj de E/S
Datos transferidos por segundo
Nombre del módulo
Máxima capacidad de transferencia
DDR3-1066
133 MHz
7,5 ns
533 MHz
1066 Millones
PC3-8500
8530 MB/s
DDR3-1200
150 MHz
6,7 ns
600 MHz
1200 MillonesPC3-9600
9600 MB/s
DDR3-1333
166 MHz
6 ns
667 MHz
1333 Millones
PC3-10600
10 664 MB/s
DDR3-1375
170 MHz
5,9 ns
688 MHz
1375 Millones
PC3-11000
11 000 MB/s
DDR3-1466
183 MHz
5,5 ns
733 MHz
1466 Millones
PC3-11700
11 700 MB/s
DDR3-1600
200 MHz
5 ns
800 MHz
1600 Millones
PC3-12800
12 800 MB/s
DDR3-1866
233 MHz
4,3 ns
933 MHz
1866 Millones
PC3-14900
14 930 MB/s
DDR3-2000250 MHz
4 ns
1000 MHz
2000 Millones
PC3-16000
16 000 MB/s
DDR3-2200
350 MHz
3,3 ns
1200 MHz
2200 Millones
PC3-18000
18 000 MB/s
Tecnologías relacionadas[editar · editar fuente]
GDDR3[editar · editar fuente]
Artículo principal: GDDR3.
La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha sido usada durante varios años entarjetas gráficas degama alta como las series GeForce 6x00 ó ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal de laXbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3".


Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si...