Tecnica Epitaxial

TÉCNICA EPITAXIAL
Este es un método de crecimiento de cristales en el que los átomos se depositan sobre un sustrato de tal modo que forman un mono cristal continuo. La estructura cristalina esdeterminada por el sustrato, pero la concentración de impureza se controla de forma independiente e incluso es posible cambiarla de un tipo a otro en la capa. El método epitaxial plana se emplea de maneracasi universal a principios de la década de 1960 y aún sigue siendo común entre una amplia variedad de familias, tanto bipolares como MOS.
El crecimiento epitaxial se realiza en un recipientedenominado reactor. Las tablas de silicio se colocan sobre un bloque gráfico, denominado susceptor, que se calienta hasta unos 1200º C. Las obleas se graban inicialmente con vapor de agua o cloruro dehidrogeno anhidro a fin de eliminar todo el material dañado. Es posible utilizar varias reacciones químicas para formar la fuente de átomos de silicio libre; la reducción del hidrógeno del tetracloruro desilicio es el método más común. Es necesario controlar con cuidado las condiciones del crecimiento.
En una operación típica, las obleas se colocan en el reactor y se aplica un chorro de nitrógeno alSistema. Después se hace pasar un flujo de hidrogeno con gastos de 30 l/min. La temperatura se ajusta a 1200ºC y las obleas se graban durante varios minutos HCl en una proporción de 1:100. El depósitoempieza con la introducción de SiCl4 en una proporción de 1:800, con una pequeña cantidad de fosfamina (PH3 ), diborano (B2H6 ) o de un compuesto arsénico a fin de determinar la concentración deimpureza. La película se deja crecer durante algunos minutos, típicamente hasta grosores de 1 a 10 m m.
TECNOLOGÍA DE PELÍCULA DELGADA Y GRUESA
La técnica de fabricación de películas delgadas consiste enir haciendo una deposición por medio de una evaporación al vacío o pulverización catódica. La superficie que contiene el substrato actúa como el ánodo, y el material que se va depositando por la...