tecnicas de fabricacion de diodos

Páginas: 8 (1815 palabras) Publicado: 22 de abril de 2015

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE PANAMA
CENTRO REGIONAL DE PANAMA OESTE
FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA

INVESTIGACION # 1:
TECNICAS DE FABRICACION DE DIODOS
CURSO:
Laboratorio de Electrónica Básica.PROFESOR:
Luis Mosquera
GRUPO:
9LP-231

22 de Septiembre de 2014.




Fabricación de diodos


Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodosemiconductor.
Diodo p-n
Un diodo de estado sólido se forma cuando se unen dos piezas de cristal semiconductor compuestas por átomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada una de forma diferente. Durante el proceso de fabricación del diodo ambas piezas se someten por separado a un proceso denominado “dopado
Formación de diodos comunes
El siguiente paso para construir el diodo es unir la piezade conducción positiva “tipo-p” o “P” con la pieza de conducción negativa “tipo-n” o “N”. De esa forma se obtiene un diodo semiconductor de silicio de unión o juntura p-n, en el que la parte positiva “P” constituye el “ánodo” (A) y la parte negativa “N” el“cátodo” (K).
Métodos Para La Fabricación De Los Diodos:
MÉTODO DE ALEACIÓN
MÉTODO DE DIFUSIÓN
MÉTODO EPITAXIAL
Fabricación de diodos
Concepto dehueco
Durante el proceso de dopado, a una de las piezas de silicio que formará después el diodo se le añaden algunas moléculas de otro elemento semiconductor diferente al silicio, denominadas “impurezas”.
METODO DE TIRAMIENTO
Este Método consiste simplemente en introducir durante el tiramiento de un cristal una determinada impureza. Se pueden también introducir dos impurezas de diferente tipo,por ejemplo arsénico (tipo N) y galio (Tipo P) que tienen coeficientes de segregación diferentes; haciendo variar simplemente la velocidad, se podrá tener una región P o una región N.
METODO DE ALEACIÓN
Este método consiste esencialmente en fundir sobre un semiconductor una impureza de tipo P o de tipo N. Si, por ejemplo, se hace fundir sobre una placa de germanio del tipo N, calentada a 500 °C, unacierta cantidad de indio, este ultimo se funde, el germanio se disuelve y las fases liquidas penetran en la placa paralelamente a las superficies, hasta que la solución se satura, es decir, a una profundidad que depende del peso del indio, del área en contacto y de la temperatura alcanzada, obteniéndose así una región P.
METODO DE DIFUSIÓN
Este método consiste en difundir un vapor de tipo N oP sobre un mono cristal de un semiconductor determinado que contenga ya una impureza del tipo contrario a la que se hace difundir.
Por ejemplo, si se coloca una placa de germanio de tipo N dentro de un recipiente en el cual circula vapor de indio, se puede obtener una unión P-N por difusión de los átomos de indio a través de la superficie de la placa de germanio, mayor será la penetración del indio;por ejemplo, a 570 °C se puede tener una penetración de de 80 A en 100 seg. Y a 870°C se obtiene una penetración de de 8000 A en el mismo tiempo.
METODO EPITAXIAL
Tomando el caso del germanio, este método consiste en evaporar dentro de una atmósfera gaseosa yoduro de germanio (Gel2) y alguna impureza sobre un mono-cristal de tipo P o tipo N. El yoduro de germanio se descompone sobre el mono-cristalde germanio según la reacción reversible:
Gel2 Gel4 + Ge.
Evaporando en forma simultanea Gel2 y la impureza sobre el mono-cristal calentado a una temperatura dada, se puede obtener una unión. La mayor ventaja de este método es que permite la obtención de regiones muy delgadas de pureza controlada. Se puede emplear en combinación con otras técnicas (de difusión y de aleación) para construir...
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