Tecnico En Electronica

Título : "ELEVADOR DE TENSIÓN PARA CIRCUITOS CMOS N-WELL "
Autores: Ing. Alejandro de La Plaza, Profesor Universidad de Buenos Aires
Ing. Héctor Fabián Kirschenbaum, Estudiante de doctorado
Contacto: Ing. Alejandro de La Plaza
Dirección : Laboratorio de Microelectrónica
Facultad de Ingeniería de la Universidad de Buenos Aires
Paseo Colon 850, CP 1063, Buenos Aires, ARGENTINA.
Teléfono:54-1-4343-0891, int 263 y 167.
Mail:

a.plaza@ieee.org < Alejandro de La Plaza>
hkirsc@fi.uba.ar

Resumen
El uso de elevadores de tensión integrados se debe a los dispositivos EPROM de compuerta-flotante, y a los
circuitos de muy baja tensión de alimentación. En el primer caso esta necesidad esta justificada por el hecho de
que una segunda fuente de alimentación para el ciclo de escrituraes inaceptable. En el segundo caso muchas
funciones no son bien resueltas con un potencial bajo y por lo tanto se requiere de uno superior.
Para obtener una tensión a partir de otra inferior se utilizan principalmente dos métodos, a través de circuitos
de elevación de carga y a través de reguladores de conmutación. La principal diferencia entre ambos circuitos es
el elemento usado paraalmacenar energía. En el primer caso este elemento es un capacitor y en el segundo caso
es un inductor o transformador. Cuando la potencia requerida es pequeña los capacitores requeridos por los
circuitos de elevación de carga pueden ser lo suficientemente pequeños como para que todo el circuito elevador
sea implementado en un único integrado. Por lo tanto los circuitos elevadores de tensión porelevación de carga
son los ampliamente utilizados en los circuitos de memoria no-volátil y también en la mayoría de los dispositivos
EEPROM con alimentación exclusiva de 5v disponibles en la actualidad.
Se ha desarrollado un nuevo elevador de tensión integrado para su utilización tanto en memorias EEPROM
como en circuitos de muy baja tensión utilizando el concepto de elevación de carga pero de unanueva forma que
permite la integración de los capacitores con tecnología CMOS N-Well estándar. También permite el control de
la tensión sobre todos los dispositivos del elevador. Se obtuvieron valores de eficiencia similares a los del
elevador de Dickson. El elevador ha sido fabricado a través de MOSIS con la tecnología nombrada
anteriormente.
Summary

The on-chip high-voltage generators areused in non-volatile memory circuits and in very low voltage circuits.
In the first case they need it because a second voltage source for the write cycle is unacceptable. In the second
case many functions are not well solved by low voltage source, so a high voltage source is required.
In order to obtain a high voltage from a low voltage two methods are preferred. The charge pump one, and theconmutation regulators. The main difference between them is the storage element. These are a capacitor and an
inductor or transformer respectively. When the power is low, the capacitors that are used in the pump charge
circuits are small enough that allow all the circuit can be integrated. For this reason the charge pump circuits are
widely use in the non-volatile memory circuits and also inthe most of the EEPROM devices with 5v voltage
available now.
A new high voltage generator has been developed it can be used for non-volatile memory circuits and for very
low voltage circuits. It uses the concept of charge pump but in a new way. This allowed the circuits' integration
with standard Cmos N-Well technology. The Circuit has been fabricated through Mosis with the technology
namedabove.

Elevador De Tensión Integrado Para Circuitos
CMOS N-WELL
Alejandro de La Plaza, Héctor Fabián Kirschenbaum
Abstracto - Se desarrolló un multiplicador de
tensión integrado en el cual solo se requiere una
sola fase. Con esta técnica la tensión desarrollada
sobre los capacitores no supera a la alimentación.
También se describe un circuito equivalente del
elevador. Este circuito...