tecnico

Electrónica Analógica

Guía de estudio para la unidad 4

Ing. Cosme Ortega Nájera

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Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que
permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos).
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la
tecnología TTL.
Un transistor de unión bipolarestá formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de
carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisordel colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la
base-colector en inversa.
Característica idealizada de un transistor bipolar.
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión basecolector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisorpueden atravesar
la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores
que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Ing. Cosme Ortega Nájera

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En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión baseemisor, el equilibrio entre los portadores generadostérmicamente y el campo eléctrico repelente de la
región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la
región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración
cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la
base son llamados portadores minoritariosdebido a que la base está dopada con material P, los cuales
generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

El símbolo de un transistor NPN.
Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a
los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en díason NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operación.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento
activo.

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El símbolo de un transistor PNP
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica
externa.
Una pequeña corriente circulando desde la basepermite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

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Regiones operativas del transistor
Región de corte:
Un transistor esta en corte...