Telecomunicaciones II

ELECTRÓNICA:
TEORÍA DE CIRCUITOS

6 Polarización de FET Polarización fija: Vas= -Vaa· V0 s =V00 -Irfio: autopolarización: Vas= -lrfis· V0 s =V00 l0(R5 + R0 ), Vs = l,Rs: divisor de voltaje: Va=R 2 V00 1(R 1 + R2), Vas= Va-Irfi5 , V05 = V00 -!0 (R0 + R); MOSFET
incremental: ID= k(VGS - VGS(Th)) 2 , k = l D(encendido)/(VGS(encendido) - VGS(Th))2; polarización por retroalimentación: VDS =VGS'
Vas= Vr¡0 -l,jl 0 : divisor de voltaje: Va =R 2 V 00 1(R 1 + R2 ). V05 =V0 -l,Jls: curva universal: m = [vp[i!05,R5 ,M= m x
Val [ VP 1, Va= R2 V00 /(R 1 + R2)
7 Modelaje de transistores bipolaresZ;= V/l;,!; =(V, - V;)IR"""'',lº =(V, - V) IR,,, 0 ,,,,,Z0 = V)/0 ,A,= V)V;,A,, =
Z¡Av~L /(Z¡ + R5 ), A1= -AvZi/RL, re= 26 mV/JE; base común: Z1 = re,Zo:::: oo .Q,Av:::: R¿lre, A¡:::: -1; emisorcomún: Z¡ = f3re,
Zº ='º'Av= -R¡Jre, A¡ :::: {3, hie = /3re, hfe = f3ac' hib ='e• hfb =-a.
8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar Emisor común: A,= -Reir,, Z; = R 8 \if3r,, Z0 =Re, A;= /3:divisor de
voltaje: R' = R,llR,, A,= -Rclr,,Z; = R'\lf3r,, zo =Re: polarización en emisor: zb = /3(r, +RE) = /3RpA,. = -f3Rc1Zb = -R¿
(r, +RE) =-RclRé emisor seguidor: Zb =/3(r, +RE), A, = l, Z0 =r,;base común: A, =Reir,, Z; = RE\\r,, Z0 =Re: retroali- ·
mentación en colector: A,= -Reir,, Z; = f3r,\\RFI\ A,\, Z0 = Rc\IR6 retroalimentación de de en colector: A,= -(RF, \IRc)lr,,
Z; =RF, \lf3r,,Z0 =Rc\\RF,: parámetros híbridos: A;= h1 (1 + h0 R¿), A,= -h1RJ[h; + (h;h 0 - h1 h,)R¿], Z; = h;- h1h)?Ll(I +
h0 R¿), Z0 = ll[h 0 - (h¡h/(h; + R,))]
.
9 Análisis a pequeña señal del FET
gm = gm 0(1- V 0s1Vp), 8mo = 2lvssllVp\: configuración básica: A,= -gmR0 ;
resistencia de fuente sin desvío: A,= -gmR0 1(1 + gmRs); seguidor de fuente: A,= gmR 5 1(1 + gmR5 ); compuerta común: A,=
gm(R0 \ir)10 Aproximacíónalossistemas:efectodeR.yRL
BJT:A V =R¿A VNL l(R¿+R O ),A.=-A
7.IRL, V=RV/(R.+R);
1
v O V) y polarización inversa (VD< OV). Cada una es una condición que dará un resultado
que...