Telecomunicaciones

REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO PARA EL PODER POLUAR DE LA DEFENSA
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA
UNEFA - CARACAS

USO DE MEMORIAS RAM

Prof.: Ing. Ana María Pérez
13ero TÉRMINO SECCIÓN 4N

ACEVEDO TERESA C.I. N° V- 15.332.648
MARCANO JESUS C.I. N° V- 6.134.544
LEZAMA YUSMARY C.I. N° V- 14.351.870

1 Caracas, Marzodel 2010

OBJETIVOS

Objetivo General

• Diseñar e implementar un circuito que permita leer y escribir datos en una RAM.

Objetivo Especifico

• Identificar el Pin Out de una memoria RAM.
• Manejar los diagramas de tiempo de una memoria RAM.
• Manipular adecuadamente las líneas de dirección, las líneas de datos y las señales de control de una memoria RAM, para escribiry leer datos de una localidad de memoria

Materiales y Equipos

1 Memoria RAM de 64 bits (74F189 o su equivalente)
1 convertidor BCD a 7 segmentos.
1 oscilador monoestable
1 contador binario de 4 bits
Compuertas lógicas AND, OR, NAND, XOR, NAND, inversores y buffers de tres estados
(74LS244 o su equivalente).
Microswichts
Diodos LED´s.
Display´s de 7 segmentos.
Resistencias de 1 KWNota: (las cantidades no indicadas dependerán de cada diseño).
Protoboard
Fuente de voltaje DC regulada.
Tester.
Data Sheets

PRE-LABORATORIO

En función de la hoja de datos (data sheet) del fabricante de la memoria RAM utilizada, realice lo siguiente:

• Mencione el fabricante.

National Semiconductor

• Dibuje el PINOUT e indique el uso de cada uno de los pines.[pic]

• Dibuje el diagrama de bloques o diagrama lógico de la memoria.

[pic]

Diagrama lógico del CI 74F189
• Explique el funcionamiento del dispositivo RAM utilizado.

Su funcionamiento es el siguiente: 
Situar en los terminales de DIRECCION la combinación adecuada a la célula de memoria a operar. 
En el caso de lectura, poner el terminal R/W a "0", y por últimopermitir el funcionamiento de la memoria, es decir, validar el proceso con CS="0". En la salida de datos obtendremos la información almacenada en la dirección de memoria correspondiente. 
En el caso de escritura, además de la dirección adecuada es preciso situar en los terminales de "entrada de datos", el dato a almacenar o escribir. Ahora el terminal R/W deberá ponerse a "1". Por último, validarla operación con CS="0", la información a la entrada de datos quedará registrada en la dirección de memoria indicada. 

• Señale ¿cuál es la capacidad de la memoria utilizada?

C= 1024 * 64= 65536 bits

• Diga ¿cuántas palabras almacena?.

Es de 1024 = 2^10

• Indique la longitud de palabra.

Tiene una longitud 64 bits

• Diga cual es la tecnología utilizada de estamemoria.

Este CI RAM esta construido con tecnología Schottky TTL más moderna, FAST, una subfamilia que muestra una combinación de rendimiento y eficiencia no alcanzada por otras familias TTL.

• Dibuje el cronograma de un ciclo de lectura de la memoria y explique.

En un ciclo de lectura el byte de entrada es aceptado en el puerto P0 justo antes de que la señal de control RD/que autoriza la lectura sea desactivada.

[pic]
Ciclo de lectura, al momento de colocación de la dirección
[pic]
Ciclo de lectura, de modo habilitado
[pic]
Ciclo de lectura, modo deshabilitado

• Dibuje el cronograma de un ciclo de escritura para la programación de la memoria y Explique

Para la escritura de la memoria externa de datos se utiliza la señal de control WR/ y puedeutilizar los 16 bits de dirección (MOV

[pic]
Ciclo de escritura

LABORATORIO

De acuerdo con el diagrama en bloques mostrado en la figura 2, diseñe un circuito que permita almacenar en 15 posiciones diferentes de memoria, los números del 0 al 9 en binario, de acuerdo con las indicaciones mostradas en la tabla Nº 1:

· Los datos de entrada, deben ser introducidos mediante microswitchs y...