Teoria de semiconductores

Centro de automatización industrial CEAI
Automatización Industrial – TAI 15
No. Ficha: 85113

Informe Presentado por:

Jadver Alexis hurtado
Edwin V. zapata cardona
Víctor Eduardo garzón
Freddy J. orbes Ortiz

TEORIA DE SEMICONDUCTORES Y APLICACIONES CON EL DIODO

I. Conteste de una manera breve y clara

1. que finalidad tiene la rectificación
2. dibuje un cto. Rectificador demedia onda positivo y uno negativo
3. cuales son los factores que determinan un alto nivel de continua en una fuente no regulada
4. que aplicación tiene los multiplicadores de voltaje
5. que se entiende por PIV(voltaje inverso pico) en un diodo
6. realice un cuadro comparativo entre los diferentes tipos de rectificadores en cuanto a : No. De diodos, Vdc, PIV, Idiodo, Frecuencia de rizado
7.que diferencia particular existe entre diodo rectificador y tener
8. en que consiste el proceso de recombinación en los semiconductores

RESPUESTAS:

1. transformar una señal de corriente alterna A.C y convertirla en una señal de corriente continua C.C
2.

3. una mayor capacitancía, mayor frecuencia y un bajo nivel de corriente CC para que el voltaje de rizado sea menor.

4. elproporcionar corriente continua de mayor voltaje mediante etapas de diodos y condensadores partiendo de fuentes de corrientes alternas.

5. es el punto de ruptura con polarizacion inversa en un diodo.

6.
|No diodos |Vdc |PIV |I diodo | F rizado |
|1 |0.318*vpl |2Vp|I |F(in) |
|2 |0.636*vpl |Vp |0.5*I |2F(in) |
|4 |0.636*vpl |Vp |0.5*I |2F(in) |

7. los diodos comunes operan con polarizacion directa enrectificadores y otros circuitos, mientras que los diodos zener operan con polarizacion inversa, además también son utilizados como reguladores.

8. la recombinación es el modo en que los electrones pueden caer desde el estado energético a un hueco en la banda de valencia liberando energía.

II. conteste falso (F) o verdadero (V)

1. todos los diodos de silicio tienen un potencial de barrera de0.7v ( F )
2. los sujetadores de nivel son utilizados como circuitos de protección ( F )
3. un semiconductor. Tipo p esta cargado positivamente y uno N en forma negativa ( F )
4. la zona de conducción de un diodo rectificador se denomina avalancha ( F )
5. un diodo zener conduce en pol. Inversa cuando se le aplica un voltaje superior al Vz ( V )
6. el voltaje de ruptura daña el diodo enpolarización directa ( F )
7. el potencial de barrera depende exclusivamente del tipo de material ( F )
8. el diodo es un dispositivo compuesto por dos cristales de material semiconductor puro ( F )

III. un trasformador alimentado en el primario por 110V, 60 Hz y relación de transformación 12:3, se conecta a un puente rectificador que a su vez alimenta una carga de 3.3k, calcular Vp delsecundario y la Idc en la carga.

[pic]
Vp1= 110*V2=155 vp1
Vefz = 27.5
vp2= 27.5*V2=38.8vp2
vpl= vp2-1.4v= 27.5 – 1.4 =26.1v
vdc=0.636*vpl= 0.636*26.1= 16.5v
idc=vdc/rl= 16.5v/3.3k =5 mA

IV. Si conectamos antes de la carga un condensador de 220uf al circuito del punto anterior, calcule el Vr y el Vcc

[pic]
Icc=vpl/rl =26.1v/3.3k= 7.9mA
Vr= icc/f.c= 7.9mA/120hz. 220Uf =299mV = 0.3v
Vcc=vpl- ½ vr=26.1v – ½ 0.3v = 25.9v

V. Los circuitos de las figuras 1, 2, 3 y 4 tiene a la entrada una señal triangular de 30 Vpp y V= 10v, diodos ideales, dibujar la forma de onda de salida de cada circuito.

VI. En los circuitos de las figuras 5 y 6, calcule las corrientes por el circuito y los voltajes en cada nodo. Vcc=10v

i8= 0.7v/1k = 0.7ma
i5=0.7v/1k=0.7ma
i4=1.4v/1k=1.4ma...