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TECSUP - PFR

Electrónica de Potencia

ÍNDICE

Unidad I: INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA
1.
2.

3.
4.

5.

6.

7.

8.

9.

10.

Definición...................................................................................................... 1
1.1
Principales tareas de la electrónica de potencia ..................................... 2
Convertidores electrónicos de potencia............................................................ 2
2.1
Rectificación ....................................................................................... 2
2.2
Convertidor DC-AC .............................................................................. 4
2.3
Convertidor DC-DC.............................................................................. 4
2.4
Convertidor AC-AC.............................................................................. 5
Observaciones adicionales a la electrónica de potencia...................................... 6
Dispositivos semiconductores de potencia ........................................................ 7
4.1
Tipos y símbolos ................................................................................. 7
4.1.1. Diodos rectificadores.............................................................. 7
4.1.2. Tiristores ............................................................................... 7
4.1.3. Transistores bipolares de juntura (BJT) .................................... 8
4.1.4. Transistores de metal óxido semiconductor FET (MOSFET) ........ 8
4.1.5. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) .................. 8Funcionamiento ideal ..................................................................................... 8
5.1
Estado de bloqueo o corte ................................................................... 9
5.2
Estado de conducción o saturación ....................................................... 9
5.3Control............................................................................................... 9
5.4
Características ideales ....................................................................... 10
5.5
Características reales......................................................................... 10
Diodos rectificadores .................................................................................... 10
6.1
Principio de funcionamiento............................................................... 10
6.2
Principales características .................................................................. 12
6.3
Pruebas con multímetro en “escala de diodo” ...................................... 13
Tiristores..................................................................................................... 14
7.1
Principio de funcionamiento............................................................... 14
7.2
Tipos de encapsulados ...................................................................... 18
7.3
Pruebas con multímetro en “escala de diodo” ...................................... 19
Transistores bipolares de juntura (BJT).......................................................... 20
8.1
Principio de funcionamiento............................................................... 21
8.2
Principales características .................................................................. 22
8.3
Tipos de encapsulados ...................................................................... 26
8.4
Pruebas con multímetro en “escala de diodo” ...................................... 26
Transistor de efecto de campo de óxido metálico de silicio (MOSFET)............... 279.1
Principio de funcionamiento ............................................................... 28
9.2
Principales características .................................................................. 29
9.3
Tipos de encapsulados ...................................................................... 31
9.4
Pruebas con “multímetro en escala de diodo” ...................................... 31...