TFT

Los TFT se pueden fabricar con una gran variedad de materiales semiconductores. El más común es el silicio. Las características del TFT basado en el silicio dependen de su estado cristalino. Estoes, que la capa de semiconductor puede ser silicio amorfo, silicio microcristalino, o puede haber sido templado en un polisilicio.
Otros materiales que pueden ser usados como semiconductores en TFTs sonel seleniuro de cadmio (CdSe) y óxidos de metal como el óxido de zinc. Los TFTs también pueden ser fabricados usando materiales orgánicos (Transistores orgánicos u OTFT).
Usando semiconductores yelectrodos transparentes, como el óxido de indio y estaño (ITO), los dispositivos TFT pueden hacerse completamente transparentes.
Debido a que los sustratos convencionales no pueden soportar el recocidoa altas temperaturas, el proceso de deposición tiene que ser realizado en temperaturas relativamente bajas. Se utiliza la deposición química de vapor y la deposición física de vapor (por logeneral pulverización catódica). [1]
La estructura de un TFT principalmente cumple con las siguientes características. Un sustrato aislante que incluye una zanja con un ancho fijo formado generalmente paralela aun primer eje, un electrodo de compuerta formada para tener una ranura por encima de la zanja y a al menos el nivel del sustrato, en el que el electrodo de compuerta está formada sobre el sustratoaislante y en la zanja, y está dividido en dos partes separadas en una dirección transversal al primer eje por un ancho fijo. Una película de aislamiento en la compuerta formada en el electrodo decompuerta, una capa semiconductora formada en la ranura del electrodo de compuerta, en el que una porción central de la capa semiconductora funciona como una región de canal y regiones de impureza en lafuente y en el drenaje formadas en ambos lados espaciados longitudinales de la capa de semiconductor y separadas por la región del canal. [2]
La aplicación mejor conocida de los transistores de...