Tipo De Memorias

ESQUEMA

1. MEMORIAS DE SÓLO LECTURA
1.1. Memoria ROM
1.2. Memoria PROM
2. MEMORIA DE SOBRE TODO LECTURA
2.1. Memoria EPROM
2.2. Memoria EEPROM
2.3. Memoria flash
3. MEMORIAS DE LECTURA/ESCRITURA (RAM)
3.1. DRAM
3.2. SRAM
4. MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
4.1. Tipos
4.2. Modo de acceso
5. Clasificación de memorias1. MEMORIAS DE SÓLO LECTURA

1.1. Memoria ROM
Es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite solo la lectura de la información y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energía. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rápida o fácil. Se utiliza principalmentepara contener el firmware (programa que está estrechamente ligado a hardware específico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnósticos.
1.2. Memoria PROM (Programmable Read-Only Memory)
ROM Programable es una memoria digital donde elvalor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROM’s, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todoslos casos.
Una PROM común se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de las fábricas; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programación se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El término Read-only (solo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias,los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).

2. MEMORIAS DE SOBRE TODO LECTURA

2.1. Memoria EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)
Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante",cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
Una vez programada, una EPROM se puede borrarsolamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

2.2. MemoriaEEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

La ROM programable y borrada eléctricamente, es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no volátiles.
Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas porun transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como IC, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips...