Tipos De Memoria

Memoria RAM estática asíncrona
SRAM
Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Presentan dos tipos, volátiles o no volátiles, esta diferencia implica que los datos permanecen o no enausencia de alimentación eléctrica. Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la última posición de memoria accedida. SRAM síncrona se coordina con el reloj del sistema, lo que reduce la velocidad y aumenta la demora. Cuenta con una superposición de Leer y escribirpatrón.

Modos de operación de una SRAM
Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operación: standby, en el cual el circuito está en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos son leídos desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se actualizan los datos almacenados en la memoria.
Reposo
Si el bus de control (WL) no está activado, los transistoresde acceso M5 y M6 desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M1 – M4 mantendrán los datos almacenados, en tanto dure la alimentación eléctrica.
Lectura
Se asume que el contenido de la memoria es 1, y está almacenado en Q. El ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lógico, y luego activa WL y los transistores de control. A continuación, losvalores almacenados en Q y Q se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando BL a través de M1 y M5 al 0 lógico. En el caso que el dato contenido en la memoria fuera 0, se produce el efecto contrario: BL será ajustado a 1 y BL a 0.
Escritura
El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a 1y BL a 0, mientras que para un 1, basta con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus WL, y el dato queda almacenado.


Memoria RAM estática síncrona
SRAM asíncrona
Las SRAM asíncronas están disponibles en tamaños desde 4Kb hasta 32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de comunicaciones, como switches, routers, teléfonos IP,tarjetas DSLAM, y en electrónica de automoción.
• La placa S3 trae incorporados dos bloques de memoria estática SRAM asíncrona. Cada uno de los bloques es de 256K por 16. O sea que, en total hay 1M byte de almacenamiento externo en la placa de desarrollo. El hecho de que la memoria sea asíncrona, significa que el chip no posee una señal de reloj, por lo tanto no puede sincronizarse con un sistemasíncrono trivialmente. Será necesario entonces, construir un “envoltorio” (wrapper) para que la memoria pueda verse y accederse como un sistema síncrono. SRAM asíncrona trabaja por separado del sistema de reloj de la CPU del ordenador. Cuenta con una cronológico Leer y escribir patrón.


















Memoria RAM Dinamica
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de tecnología de memoria RAM.La memoria dinámica de acceso aleatorio se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad deposiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.
Funcionamiento
La...