Tipos de ram y rom

RAM SEMICONDUCTORA.

Random Access Memory, normalmente conocida como Memoria RAM) es un tipo de dispositivo de almacenamiento de datos. Adopta la forma de circuitos integrados que permiten que los datos se almacenen y sea accesible a ellos mediante órdenes.

ARQUITECTURA DE LA RAM

Consta de varias premisas y registros, cada uno de los cuales almacena una sola palabra de datos y con unadirección única. Los RAM comúnmente viene con capacidades de palabras de 1k, 4k, 8k, 16k, 32k, k8k, 256k, y tamaños de palabras 1,4 u 8 bits.



RAM ESTÁTICA (SRAM)
Abreviatura para la memoria de acceso al azar estática. SRAM es un tipo de memoria que es más rápida y más confiable que la DRAM más común (RAM dinámica). El término se deriva del hecho de que no necesitan ser restaurados como RAMdinámica.
Mientras que DRAM utiliza tiempos de acceso de cerca de 60 nanosegundos, SRAM puede dar los tiempos de acceso de hasta sólo 10 nanosegundos. Además, su duración de ciclo es mucho más corta que la de la DRAM porque no necesita detenerse brevemente entre los accesos.Desafortunadamente, es también mucho más costoso producir que DRAM. Debido a su alto costo, SRAM se utiliza a menudosolamente como memoria caché.

RAM DINÁMICA

Un tipo de memoria física usado en la mayoría de los ordenadores personales. El término dinámico indica que la memoria debe ser restaurada constantemente (re energizada) o perderá su contenido.
La RAM (memoria de acceso aleatorio) se refiere a veces como DRAM para distinguirla de la RAM estática (SRAM). La RAM estática es más rápida y menos volátil que laRAM dinámica, pero requiere más potencia y es más costosa.



TERMINOLOGÍA DE LA MEMORIA

Celda de Memoria:
Dispositivo o circuito eléctrico que se usa para almacenar un solo bit (0 o 1).

Palabra de Memoria:
Grupo de bits (celdas) en una memoria que representa instrucciones o datos de algún tipo

Byte:
Termino especial que se usa para una palabra de 8 bits.Un byte siempre consta de 8 bits, que es el tamaño de palabra más común en las microcomputadoras.

Capacidad:
Forma de especificar cuantos bits pueden almacenarse en un dispositivo de memoria particular o bien en un dispositivo de memoria completo

Dirección:
Numero que identifica la localidad de una palabra en la memoria. Cada palabra almacenada en un dispositivo de memoria osistema de memoria tiene una dirección única.

Operación de Lectura:
Es la operación mediante la cual una palabra binaria almacenada en una localidad (dirección) especifica de la memoria es captada y después transferida a otra localidad.

Operación de Escritura:
Es por medio de la cual se coloca una nueva palabra en cierta localidad de memoria.

Tiempo de Acceso:Medida de la velocidad del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operación de lectura.

Tiempo de Ciclo:
Otra medida de la velocidad del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo necesario para que la memoria realice una operación de lectura o escritura y después regrese a su estado original lista para ejecutar el siguiente comando.Memoria Volátil:
Cualquier tipo de memoria que requiera la aplicación de energía eléctrica a fin de almacenar información. Si se retira la energía eléctrica, toda la información almacenada en la memoria se perderá.

Memoria de Acceso Aleatorio (RAM):
Memoria en la cual la localización física real de una palabra de la memoria no tiene efecto sobre el tiempo que tarde en leer deesa localidad o bien escribir en ella.

Memoria de Acceso Secuencial (SAM):
Tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es constante, sino que varía según la localidad de la dirección.

Memoria de Lectura y Escritura (RWM):
Cualquier memoria de la que pueda leerse información o bien escribirse en ella con la misma facilidad.

Memoria de Solo Lectura (ROM):...