Tipos de transistores
Páginas: 8 (1910 palabras)
Publicado: 7 de marzo de 2011
El transistor de potencia I: tipos de transistores
BJT
Canal P JFET Canal N PNP NPN
IGBT
Acumulación Canal P Canal N
FET MESFET Canal N
MOSFET
•BJT:Transistores bipolares de unión. Deplexión •FET: Transistores de efecto de campo. •JFET: Transistores de efecto de campo de unión. •MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor. •MOSFET: Transistores de efecto de campode metal-oxido-semiconductor. •IGBT: Transistores de puerta aislada.
Canal P Canal N
El transistor de potencia II: características comunes I
LOS TRANSISTORES SON DISPOSITIVOS DOTADOS LOS TRANSISTORES SON DISPOSITIVOS DOTADOS DE 3 TERMINALES DE 3 TERMINALES DOS DE LOS TERMINALES ACTÚAN COMO DOS DE LOS TERMINALES ACTÚAN COMO TERMINALES DE ENTRADA (CONTROL) TERMINALES DE ENTRADA (CONTROL) DOSACTÚAN COMO TERMINALES DE SALIDA DOS ACTÚAN COMO TERMINALES DE SALIDA UN TERMINAL ES COMÚN A ENTRADA Y SALIDA UN TERMINAL ES COMÚN A ENTRADA Y SALIDA LA POTENCIA CONSUMIDA EN LA ENTRADA ES LA POTENCIA CONSUMIDA EN LA ENTRADA ES MENOR QUE LA CONTROLADA EN LA SALIDA MENOR QUE LA CONTROLADA EN LA SALIDA LA TENSIÓN ENTRE TERMINALES DE ENTRADA LA TENSIÓN ENTRE TERMINALES DE ENTRADA DETERMINA LA SALIDA:PUEDE FUNCIONAR COMO DETERMINA LA SALIDA: PUEDE FUNCIONAR COMO FUENTE DE CORRIENTE (ZONA ACTIVA), FUENTE DE CORRIENTE (ZONA ACTIVA), CORTOCIRCUITO (SATURACIÓN) O CIRCUITO CORTOCIRCUITO (SATURACIÓN) O CIRCUITO ABIERTO (CORTE). EN LOS ACCIONAMIENTOS PARA ABIERTO (CORTE). EN LOS ACCIONAMIENTOS PARA MOTORES TRABAJAN EN CONMUTACIÓN MOTORES TRABAJAN EN CONMUTACIÓN
ENCAPSULADO TO-220
MJE13008(NPN) IRF840 (MOSFET, N) BDX53C (Darlington)
El transistor de potencia II: características comunes II
TERMINALES DE CONEXIÓN
B=BASE B=BASE C=COLECTOR C=COLECTOR E=EMISOR E=EMISOR TRANSISTORES TRANSISTORES BIPOLARES BIPOLARES
LOS FET PUEDEN CONMUTAR A LOS FET PUEDEN CONMUTAR A FRECUENCIAS MÁS ALTAS QUE FRECUENCIAS MÁS ALTAS QUE LOS BIPOLARES Y NECESITAN LOS BIPOLARES Y NECESITAN MENOSCORRIENTE DE PUERTA MENOS CORRIENTE DE PUERTA PARA ENTRAR EN SATURACIÓN PARA ENTRAR EN SATURACIÓN O CORTE O CORTE
G=PUERTA ((GATE) G=PUERTA GATE) D=DRENADOR ((DRAIN) D=DRENADOR DRAIN) S=FUENTE ((SOURCE) S=FUENTE SOURCE) TRANSISTORES DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO EFECTO DE CAMPO
El transistor de potencia I: características de cada transistor
BJT: Bipolar Junction Transistor. Transistorbipolar constituido por la unión de BJT: Bipolar Junction Transistor. Transistor bipolar constituido por la unión de dos materiales con capacidades opuestas para polarizarse (uniones NP O PN). dos materiales con capacidades opuestas para polarizarse (uniones NP O PN). Los transistores bipolares pueden ser PNP o NPN Los transistores bipolares pueden ser PNP o NPN FET: Field Effect Transistor. Transistorde efecto de campo. Está formado por FET: Field Effect Transistor. Transistor de efecto de campo. Está formado por una barra de material semiconductor de silicio tipo P o N en cuyos extremos se una barra de material semiconductor de silicio tipo P o N en cuyos extremos se establece un contacto óhmico. También se les conoce como transistores uniestablece un contacto óhmico. También se les conocecomo transistores unipolares. En los de canal N la conducción la producen e- en los de canal P polares. En los de canal N la conducción la producen e- en los de canal P huecos. Hay 3 tipos: huecos. Hay 3 tipos: • JFET • JFET Junction Field Effect Transistor Junction Field Effect Transistor • MESFET • MESFET Metal Semiconductor Transistor Metal Semiconductor Transistor • MOSFET • MOSFET Metal OxideSemiconductor Transistor Metal Oxide Semiconductor Transistor IGBT : Isolated Gate Bipolar Transistor. Transistor bipolar de puerta IGBT : Isolated Gate Bipolar Transistor. Transistor bipolar de puerta aislada. Presenta la ventaja de que la puerta se comporta como lla aislada. Presenta la ventaja de que la puerta se comporta como a de un transistor MOSFET lo que facilita su gobierno. Es más de...
BJT
Canal P JFET Canal N PNP NPN
IGBT
Acumulación Canal P Canal N
FET MESFET Canal N
MOSFET
•BJT:Transistores bipolares de unión. Deplexión •FET: Transistores de efecto de campo. •JFET: Transistores de efecto de campo de unión. •MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor. •MOSFET: Transistores de efecto de campode metal-oxido-semiconductor. •IGBT: Transistores de puerta aislada.
Canal P Canal N
El transistor de potencia II: características comunes I
LOS TRANSISTORES SON DISPOSITIVOS DOTADOS LOS TRANSISTORES SON DISPOSITIVOS DOTADOS DE 3 TERMINALES DE 3 TERMINALES DOS DE LOS TERMINALES ACTÚAN COMO DOS DE LOS TERMINALES ACTÚAN COMO TERMINALES DE ENTRADA (CONTROL) TERMINALES DE ENTRADA (CONTROL) DOSACTÚAN COMO TERMINALES DE SALIDA DOS ACTÚAN COMO TERMINALES DE SALIDA UN TERMINAL ES COMÚN A ENTRADA Y SALIDA UN TERMINAL ES COMÚN A ENTRADA Y SALIDA LA POTENCIA CONSUMIDA EN LA ENTRADA ES LA POTENCIA CONSUMIDA EN LA ENTRADA ES MENOR QUE LA CONTROLADA EN LA SALIDA MENOR QUE LA CONTROLADA EN LA SALIDA LA TENSIÓN ENTRE TERMINALES DE ENTRADA LA TENSIÓN ENTRE TERMINALES DE ENTRADA DETERMINA LA SALIDA:PUEDE FUNCIONAR COMO DETERMINA LA SALIDA: PUEDE FUNCIONAR COMO FUENTE DE CORRIENTE (ZONA ACTIVA), FUENTE DE CORRIENTE (ZONA ACTIVA), CORTOCIRCUITO (SATURACIÓN) O CIRCUITO CORTOCIRCUITO (SATURACIÓN) O CIRCUITO ABIERTO (CORTE). EN LOS ACCIONAMIENTOS PARA ABIERTO (CORTE). EN LOS ACCIONAMIENTOS PARA MOTORES TRABAJAN EN CONMUTACIÓN MOTORES TRABAJAN EN CONMUTACIÓN
ENCAPSULADO TO-220
MJE13008(NPN) IRF840 (MOSFET, N) BDX53C (Darlington)
El transistor de potencia II: características comunes II
TERMINALES DE CONEXIÓN
B=BASE B=BASE C=COLECTOR C=COLECTOR E=EMISOR E=EMISOR TRANSISTORES TRANSISTORES BIPOLARES BIPOLARES
LOS FET PUEDEN CONMUTAR A LOS FET PUEDEN CONMUTAR A FRECUENCIAS MÁS ALTAS QUE FRECUENCIAS MÁS ALTAS QUE LOS BIPOLARES Y NECESITAN LOS BIPOLARES Y NECESITAN MENOSCORRIENTE DE PUERTA MENOS CORRIENTE DE PUERTA PARA ENTRAR EN SATURACIÓN PARA ENTRAR EN SATURACIÓN O CORTE O CORTE
G=PUERTA ((GATE) G=PUERTA GATE) D=DRENADOR ((DRAIN) D=DRENADOR DRAIN) S=FUENTE ((SOURCE) S=FUENTE SOURCE) TRANSISTORES DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO EFECTO DE CAMPO
El transistor de potencia I: características de cada transistor
BJT: Bipolar Junction Transistor. Transistorbipolar constituido por la unión de BJT: Bipolar Junction Transistor. Transistor bipolar constituido por la unión de dos materiales con capacidades opuestas para polarizarse (uniones NP O PN). dos materiales con capacidades opuestas para polarizarse (uniones NP O PN). Los transistores bipolares pueden ser PNP o NPN Los transistores bipolares pueden ser PNP o NPN FET: Field Effect Transistor. Transistorde efecto de campo. Está formado por FET: Field Effect Transistor. Transistor de efecto de campo. Está formado por una barra de material semiconductor de silicio tipo P o N en cuyos extremos se una barra de material semiconductor de silicio tipo P o N en cuyos extremos se establece un contacto óhmico. También se les conoce como transistores uniestablece un contacto óhmico. También se les conocecomo transistores unipolares. En los de canal N la conducción la producen e- en los de canal P polares. En los de canal N la conducción la producen e- en los de canal P huecos. Hay 3 tipos: huecos. Hay 3 tipos: • JFET • JFET Junction Field Effect Transistor Junction Field Effect Transistor • MESFET • MESFET Metal Semiconductor Transistor Metal Semiconductor Transistor • MOSFET • MOSFET Metal OxideSemiconductor Transistor Metal Oxide Semiconductor Transistor IGBT : Isolated Gate Bipolar Transistor. Transistor bipolar de puerta IGBT : Isolated Gate Bipolar Transistor. Transistor bipolar de puerta aislada. Presenta la ventaja de que la puerta se comporta como lla aislada. Presenta la ventaja de que la puerta se comporta como a de un transistor MOSFET lo que facilita su gobierno. Es más de...
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