Tiristor diac y triac

SCR

FAMILIA DE TIRISTORES:
SCR, DIAC Y TRIAC.
Cruz Osorio Diana Carla.
M.C. Blanca Esthela

DEFINICION.


Los tiristores son una familia de dispositivos
semiconductores de varias capasque presentan una
acción de conmutación biestable. En su gran
mayoría son dispositivos unidireccionales porque
solamente transmiten la corriente en un único
sentido, aunque existen combinacionesde ellos que
conectados de forma anti paralela se compartan
de manera bidireccional; es decir la corriente viaja
en dos sentidos.

SCR: Rectificador Controlado de Silicio

DEFINICION:


Esun dispositivo semiconductor biestable formado
por tres uniones pn con la disposición pnpn. Está
formado por tres terminales, llamados Ánodo,
Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y
cátodoes controlada por el terminal de puerta. Es
un elemento unidireccional.

FABRICACION:
DIFUSION.

Se toma una pastilla base de tipo P sobre la
cual se forma una capa N(difusión) a
continuaciónse coloca una bolita de material
PN y otra de N en la misma cara de la
Pastilla .Mediante tratamiento térmico
los átomos N penetran más que los P
formando zona N y P.
♥ Emisor constituido porátomos
♥ P de la bolita PN.
♥ Base formada por la difusión
♥ de átomos N y la capa depositada
♥ por vapor.
♥ Colector formado por la pastilla base
♥ La bolita de tipo N sirve de conexión con
lazona N del transistor

CRECIMIENTO
EPITAXIAL.

Es el crecimiento ordenado de
una capa monocristalina que
mantiene una relación definida
con respecto al substrato
cristalino inferior.
EPI: sobreTAXIS: ordenación
♥ Crecimiento epitaxial en
fase líquida (LPE).
♥ Crecimiento epitaxial por
haces moleculares (MBE).
♥ Epitaxia en fase de vapor
(VPE).

DIAGRAMA
ELECTRICO.
DIAGRAMA ABLOQUES.

DIAGRAMAS:
DIAGRAMA
FISICO.

CURVA CARACTERISTICA:

POLARIZACION:
DIRECTA.

INVERSA.

♥ Cargadores de batería.
♥ Circuitos de protección.
♥ Controles de calefacción.
♥...