tiristores

Dispositivos de
disparo
Original de:
Universidad de Jaén
Escuela Politécnica Superior
Autor:
Juan Domingo Aguilar Peña
Autorizado para:
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1.1

INTRODUCCIÓN

A ciertos niveles, para disparar el tiristor y el triac se necesitan dispositivos intermedios entre la
señal de disparo y la puerta. Para estudiarlos utilizaremos:
− VS =Tensión de disparo.
− VH = Tensión de mantenimiento.
− VR = Tensión inversa.
− V0 = Tensión de pico de los impulsos.
− IH = Corriente de mantenimiento.
− IS = Corriente en el momento del disparo.

1.2

DIAC: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS

• Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos
electrodos principales, MT1 y MT2, y ninguno de control(Fig.1.a).
• Su estructura es la representada en la figura 1.b.
• En la curva característica tensión-corriente (Fig. 1.c) se observa que:
− V(+ ó −) < VS ⇒ el elemento se comporta como un circuito abierto.
− V(+ ó −) > VS ⇒ el elemento se comporta como un cortocircuito.
• Se utilizan para disparar esencialmente a los triacs.
I(+)

MT1
MT1

N2
MT2
N3

V(-)

IB

VS

b)

IS
ISP2

MT2
a)

10 mA

N1

P1

∆V+

IB

VS

V(+)

10 mA
∆V-

I(-)
c)

Fig.1.- a) Símbolo del diac b) Estructura c) Curva característica.

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Pág. 1

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1.3

CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO (SUS)

• SUS (Silicon Unilateral Switch):combinación de un tirirstor con puerta anódica y un diodo Zener
entre puerta y cátodo.
• En la figura 2 se representa el símbolo, circuito equivalente y la curva característica.
• Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parámetro es VS ≈ 6 y 10 V.
• Se dispara a una tensión fija, Vzener , y su corriente IS está muy cercana a IH .
• Sincronización mediante impulsos en puerta del SUS.
IF
AA
G

G

IH
IS

VR

IRVH VF

K

K

VS

Fig.2.- Símbolo, circuito equivalente, y curva característica de un SUS.

1.4

CONMUTADOR BILATERAL DE SILICIO (SBS)

• SBS (Silicon Bilateral Switch): de respuesta equivalente a la de un diac, equivale a dos SUS
conectados en antiparalelo.
• En la figura 3 se representa el símbolo, circuito equivalente y la curva característica.• Se usan normalmente para el disparo de triacs. Su principal parámetro es VS (entre 6 y 10 V) en
ambos sentidos.
• Especificaciones idénticas a las del SUS a excepción de VR que pierde todo significado.
+I
VF1
MT2
MT2

IH1
IS1

IB2
G

VS1

-V

G

+V
IS2
VS2

MT1

IB1

IH2

MT1
VF2
-I

Fig.3.- Símbolo, circuito equivalente, y curva característica de un SBS._____________________________________________________________________________________
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Pág. 2

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1.5

TRANSISTOR UNIUNIÓN (UJT)

1.5.1 PARÁMETROS DEL UJT
• UJT (Uni-Juntion Transistor): transistor formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 KΩ) tipo N
con tres terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unión NP).
• En la figura 4 serepresenta el símbolo, estructura y curva característica.

VEB1 Negative Resistance Region
Saturation Region
VP
Peak Point
Cutoff
VB2B1=K
Region
Valley Point
VEB1(sat)
VV
IB2=0
IE
IV
IP

B2
B2

E
P

P

E

N
B1
B1

Fig.4.- Símbolo, estructura, y curva característica de un UJT.
• El circuito equivalente del UJT es el representado en la figura 5, para su estudio definimos:− VBB : Tensión interbase.
− rBB : Resistencia interbase ⇒ rBB = rB1 + rB2
− VE : Tensión de emisor.
− IE : Intensidad de emisor.
− VB2 : Tensión en B2, (de 5 a 30 V para el UJT polarizado).
− VP : Tensión de disparo⇒ VP = VrB1 + VD
−
−
−
−

IP
VV
IV
VD

− µ

: Intensidad de pico (de 20 a 30 µA.).
: Tensión de valle de emisor
: Intensidad valle del emisor.
: Tensión...