Tiristores

GOBIERNO DE TIRISTORES
Índice
4.1. PRINCIPIOS DE GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIACS
4.1.1. Disparo por corriente continua
4.1.2. Disparo por corriente alterna
4.1.3. Disparo por impulsos o trenes de onda
4.1.3.1. Disparo por impulso único
4.1.3.2. Disparo por trenes de onda
4.2. C IRCUITOS DE MANDO
4.2.1. Circuitos todo o nada
4.2.1.1. Mando síncrono
4.2.1.2. Detector de cero-comparador4.2.1.3. Control por paquetes semionda
4.2.1.4. Disparo a tensión nula
4.2.2. Control de disparo por ángulo de conducción: control de fase
4.2.2.1. Circuito desfasador RC
4.2.2.2. Control horizontal
4.2.2.3. Control vertical
4.3. D ISPARO MEDIANTE CIRCUITOS SEMICONDUCTORES
4.3.1. Introducción
4.3.2. Disparo por UJT
4.3.2.1. Oscilador de relajación con UJT
4.3.2.2. Sincronización con lared de alimentación
4.3.3. Disparo por PUT
4.3.4. Disparo por DIAC
4.3.4.1. Circuitos de control de potencia en continua
4.3.4.2. Circuitos de control de potencia en alterna
4.3.4.3. Histéresis. Circuitos con doble constante de tiempo

Este tutorial es original de J.A. Aguilar Peña
http://voltio.ujaen.es/jaguilar

4.1 PRINCIPIOS DE GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIACS
4.1.1 DISPARO PORCORRIENTE CONTINUA
•El circuito típico de disparo por c.c. es el representado en la figura 4.1.
RA
Circuito de disparo
IG
RS
VS

+

VG

Fig. ¡Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..1.- Circuitos de disparo por
C.C.
•Los valores de RS y de VS se determinan a partir de la característica de puerta del tiristor (Fig. 4.2),
teniendo en cuenta que:
− La recta de cargadel circuito de disparo debe ser tangente, o muy cercana, a la hipérbola de potencia
media en puerta (PGAV): VSmáx y RSmín.
− No se debe sobrepasar los valores mínimos de disparo (zona rayada): VSmín y RSmáx.
VG (V)
VSmáx

RGmáx

PG(AV)

VSmín
RSmín
V0
RGmín
RSmáx
0

I0
IG (A)
Fig. ¡Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..2.- Determinación del punto
defuncionamiento del SCR en el cebado.

•Valor de VSmín:

VSmin = R Smax ⋅I 0 + V0
2

•Valor de VSmáx: para

PGAVmax



VSmax
=
 ⋅R Gmax
 R Smin + R Gmax 

− RGmáx = pendiente media dv/di de la característica de impedancia máxima utilizada.
VSmax = ( RSmin + R Gmax )⋅

PGAVmax
R Gmax

4.1.2 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA
•El circuito típico de disparo por c.a. es elrepresentado en la figura 4.3, donde:
− La excursión inversa de VG debe permanecer menor al máximo admitido (diodo D).
− La potencia de ataque máxima de pico PGDSmáx puede aumentarse sin rebasar PGAV.

RA
Circuito de disparo
IG

RS
VS

+

D

VG

Fig. ¡Error!No hay texto con el estilo especificado en el documento..3.- Circuito básico para el
disparo por C.A.
•Valor de Vsmín: igualque para el disparo por c.c.
2

•Valor de VSmáx: Como

1
P = I 2ef ⋅R G ⇒
2

•Relación cíclica efectiva para el cebado:

PGAVmax

1  VSmax 2 

= 
 ⋅R G
2
 R Smin + R G 

Potencia media por periodo
⋅100 = 25 %
Potencia de pico

4.1.3 DISPARO POR IMPULSOS O TRENES DE ONDA
4.1.3.1 DISPARO POR IMPULSO ÚNICO
•El disparo de un SCR por impulso único equivale al disparo enc.c.
•Circuito de puerta: atacado con un generador de corriente de forma:
− IG debe superar la especificada como mínima, IGT (Fig. 4.4).
− El tiempo de subida: lo mas corto posible (de 0,1 a 1 µs).
− Duración del impulso: tal que IGT < IG < I L (IL = I. de enganche anódica).

IG
5 IGT

IGT
0 0.1a 0.5

1

t (µs)

Fig. ¡Error!No hay texto con el estilo especificado en eldocumento..4.- Forma del impulso de
corriente en puerta.

4.1.3.2 DISPARO POR TRENES DE ONDA
•Se utilizan para evitar, en c.a. con cargas inductivas, que la corriente en el elemento inductivo persista
tras el paso por cero de la 1ª semionda de tensión que produjo el cebado del elemento, no permitiendo el
recebado en el siguiente impulso.
•Consume poca energía, y facilita el ataque al elemento por...