tiristores

DISPOSITIVOS ESPECIALES

Los tiristores son dispositivos formados por cuatro capas dematerial semiconductor (pn-pn). Dentro de eelos se encuentran el Silicon-Controlled Rectifier (SCR) en español rectificador controlado de silicio, el diode for alternating current (DIAC) que es diodo paracorriente alterna, el triode for alternating current (TRIAC) que es un tríodo para corriente alterna y elSilicon-Controller Switch (SCS) que significa interruptor controlador de silicio. Todos tienen características comunes como el actuar como circuitos abiertos capaces de soportar al ser disparados. Cuando son disparados. Cuando son disparados se activan y se convierten en caminos de baja resistencia para corriente y se mantienen asi, incluso si el disparo es removido, hasta que la corriente esreducida a cierto nivel o hasta que se desactivan, dependiendo del tipo del dispositivo.
Los tiristores pueden usarse para controlar la cantidad de potencia de corriente alterna a cargar y son usados en reguladores de lámparas, controladores de velocidad de motores, ignición de sistemas y cargas de circuitos por nombrar algunas.










FAMILIA DE TIRISTORES

RECTIFICADOR CONTROLADORDE SILICIO (SCR)
Como el diodo de cuatro capas, el SCR tiene dos posibles estados de operación. El estado off, actua idealmente como un circuito abierto entre el anodo y el catodo, de hecho, en lugar de abierto, hay una alta impedancia. En el estado on, el SCR actua idealmente como un corto entre anodo y catodo, de hecho, hay una baja resistencia de polarización directa. El SCR es usado envarias aplicaciones incluyendo control de motores, circuitos de retraso, controles de calefacción y controles de fase por nombrar algunos.
Caracteristicas del SCR
De las características mas importantes del SCR son
Voltaje de quiebre en polarización directa, VBF: en este voltaje en el cual el SCR entre en la región de conducción en polarización directa. El valor VBF es máximo cuando IG = 0. Cuando lacorriente de compuerta incremente, el VBF decrementa.
Corriente estándar: este valor de la corriente de anodo debajo del cual el SCR conmuta de la región de conduce on a la región de bloqueo. El valor incrementa con el crecimiento del valor IG y es máximo cuando IG = 0.
Corriente de disparo en compuerta: este valor de corriente de compuerta es el necesario para conmutar el SCR de la región debloquo a la región de conducción bajo condiciones específicas.
Región de conducción de polarización directa: esta región corresponde al estado on del SCR, donde hay una corriente de anodo a catodo a través de la baja resistencia (aproximado al corto) del SCR.
Voltaje de quiebre en polarización inversa VBR: este parámetro especifica el valor del voltaje en polarización inversa de catodo a anodo enel cual el dispositivo quiebra en la región de avalancha y comienza a conducir (al igual que la unión pn de un anodo)




DIODO INTERRUPTOR DE CORRIENTE ALTERNA (DIAC)
Las dos estructuras del DIAC son el diodo de disparo AC y el diodo interruptor bidireccional pn-pn. El formador simplemente es un dispositivo de tres capas similar en construcción a un transistor bipolar, excepto que lasconcentraciones de dopaje en las dos uniones son aproximadamente la mismas y no hay contacto entre la región base de en medio. El dopaje equitativo resulta simetrico, características bidireccionales. Cuando el voltaje sin importar la polaridad es aplicado a un DIAC, una unión es polarizada directamente y la otra inversamente.



La corriente es limitada po la corrienteleakage povocada por la unión polarizada inversamente. Cuando el voltaje aplicado es suficientemente alto, el quiebre ocurre en VBC BO(1-α)1/n, donde VBC BO es el voltaje de quiebre de avalancha de una unión pn,_ es la ganancia de corriente de configuración base común y n una constante definida anteriormente8 varia según el amterialsemiconductor). Esta expresión es la misma para el voltaje de...