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Páginas: 16 (3807 palabras)
Publicado: 13 de julio de 2011
14/03/2011
Transistores
INTRODUCCION
Introducción
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vacío fue sin duda el dispositivo electrónico de interés y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vacío fue introducido por J. A. Fleming. Poco después, en 1906, Lee, De Forest agregó un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vacío, lo que originó el primer amplificador: eltriodo
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Electrónica Analógica
1
14/03/2011
Introducción
El 23 de diciembre de 1947 la industria electrónica atestiguó el advenimiento de una dirección de interés y desarrollo completamente nueva. Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de contacto)3
Electrónica Analógica
Introducción
De inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales sobre el tubo electrónico fueron evidentes:
☺Tamaño reducido y ligero ☺No tenía requerimientos de filamentos o pérdidas térmicas ☺Dispositivo mas eficiente ☺Listo para utilizarse
4
Electrónica Analógica
2
14/03/2011
Introducción
Tipos de transistoresNPN
BJT
PNP
Transistores
JFET FET
5 Electrónica Analógica
IGBT
MOSFET
EL TRANSISTOR BJT
Introducción
Transistor Bipolar de Unión (BJT), Es un dispositivo de 3 terminales. Es utilizado comúnmente en:
Como interruptor Amplificación de señales Fuentes de poder reguladas
6
Electrónica Analógica
3
14/03/2011
Construcción del Transistor BJT
El transistor es undispositivo semiconductor de tres capas.
Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo P o N
7
Electrónica Analógica
Construcción del Transistor
En los transistores que se muestran en la figura, la relación entre el ancho total y el de la capacentral es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es también considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el número de portadores "libres".
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Electrónica Analógica
4
14/03/2011
Funcionamiento
El BJT tiene tres estados deoperación. Zona de corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es el de la batería. IB=IC=IE=0; VCE=VBAT Zona activa: Funciona como amplificador. Puede regular el paso de la corriente
9 Electrónica Analógica
Funcionamiento
Zona de saturación: Puede considerarse como un corto circuito entre C y E.Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor.
10
Electrónica Analógica
5
14/03/2011
Operación del Transistor
El ancho de la región de agotamiento se ha reducido debido a la polarización aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo P al tipo N. Uniónpolarizado directamente de un transistor PNP
11
Electrónica Analógica
Operación del Transistor
La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de microamperes en comparación con los miliamperes de las corrientes del emisor y del colector.
Mediante leyes de Kirchov: IE = IC + IB
12
Electrónica Analógica
6
14/03/2011
Curva de operación
13
ElectrónicaAnalógica
Polarización de un Transistor
El comportamiento del voltaje y de la corriente cuando se polariza al transistor depende del dispositivo utilizado.
14
Electrónica Analógica
7
14/03/2011
Polarización de un transistor
Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.
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Electrónica Analógica...
Transistores
INTRODUCCION
Introducción
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vacío fue sin duda el dispositivo electrónico de interés y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vacío fue introducido por J. A. Fleming. Poco después, en 1906, Lee, De Forest agregó un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vacío, lo que originó el primer amplificador: eltriodo
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Electrónica Analógica
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14/03/2011
Introducción
El 23 de diciembre de 1947 la industria electrónica atestiguó el advenimiento de una dirección de interés y desarrollo completamente nueva. Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de contacto)3
Electrónica Analógica
Introducción
De inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales sobre el tubo electrónico fueron evidentes:
☺Tamaño reducido y ligero ☺No tenía requerimientos de filamentos o pérdidas térmicas ☺Dispositivo mas eficiente ☺Listo para utilizarse
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Electrónica Analógica
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14/03/2011
Introducción
Tipos de transistoresNPN
BJT
PNP
Transistores
JFET FET
5 Electrónica Analógica
IGBT
MOSFET
EL TRANSISTOR BJT
Introducción
Transistor Bipolar de Unión (BJT), Es un dispositivo de 3 terminales. Es utilizado comúnmente en:
Como interruptor Amplificación de señales Fuentes de poder reguladas
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Electrónica Analógica
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14/03/2011
Construcción del Transistor BJT
El transistor es undispositivo semiconductor de tres capas.
Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo P o N
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Electrónica Analógica
Construcción del Transistor
En los transistores que se muestran en la figura, la relación entre el ancho total y el de la capacentral es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es también considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el número de portadores "libres".
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14/03/2011
Funcionamiento
El BJT tiene tres estados deoperación. Zona de corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es el de la batería. IB=IC=IE=0; VCE=VBAT Zona activa: Funciona como amplificador. Puede regular el paso de la corriente
9 Electrónica Analógica
Funcionamiento
Zona de saturación: Puede considerarse como un corto circuito entre C y E.Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor.
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Electrónica Analógica
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14/03/2011
Operación del Transistor
El ancho de la región de agotamiento se ha reducido debido a la polarización aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo P al tipo N. Uniónpolarizado directamente de un transistor PNP
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Electrónica Analógica
Operación del Transistor
La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de microamperes en comparación con los miliamperes de las corrientes del emisor y del colector.
Mediante leyes de Kirchov: IE = IC + IB
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Electrónica Analógica
6
14/03/2011
Curva de operación
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ElectrónicaAnalógica
Polarización de un Transistor
El comportamiento del voltaje y de la corriente cuando se polariza al transistor depende del dispositivo utilizado.
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Electrónica Analógica
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14/03/2011
Polarización de un transistor
Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.
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