Topicos Especiales De Fisica Del Estado Solido:
Páginas: 3 (663 palabras)
Publicado: 6 de noviembre de 2012
Propuesta de Curso
TOPICOS ESPECIALES DE FISICA DEL ESTADO SOLIDO:
Materiales Semiconductores: Fenomenología y Aspectos Experimentales
Programa analítico.
Capítulo I: Aspectos Básicos enSemiconductores
Visión fisicoquímica de los semiconductores. Enlace iónico y covalente. Coordinación Estructuras cristalinas. Gap medio. Gap interbandas. Estructura de bandas de energía. Potencialesperiódicos. Zonas de Brillouin. Estadistica de portadores en equilibrio. Masa efectiva de portadores. Procesos de conducción. Niveles de impurezas. Estados de defecto electrónico. Dopantes. Absorciónóptica. Semiconductores atípicos.
Capítulo II: Preparación de Semiconductores.
Crecimiento de cristales. Método de Czochralsky. Crecimiento de semiconductores policristalinos. Materiales enpelícula delgada. Crecimiento epitaxial. Evaporación. Descomposición química en fase vapor (CVD). Descomposición pirolítica. Características básicas de un plasma de baja energía. Sputtering. Descargaluminiscente. Incorporación controlada de impurezas.
Capítulo III: Instrumentación Básica.
Sistemas de vacío. Teoría de vacío. Aspectos de diseño. Bombas. Trampas. Cálculo de impedancias. Detecciónde pérdidas. Criostatos. Aspectos de diseño. Medición de temperatura. Amplificadores sensibles a fase. Electrómetros. Detectores ópticos. Fotomultiplicadores. Diodos. Termocuplas. Monocromadores.Fuentes de luz
Capítulo IV: Propiedades de transporte.
Mediciones básicas de transporte eléctrico. Método de las cuatro puntas. Método de Van der Paw. Errores. Métodos no contactantes. Concentraciónde portadores. Perfil de resistividad. Efecto Hall. Movilidad. Poder termoeléctrico.
Capítulo V: Portadores fuera de equilibrio
Fotoconductividad. Cuasi niveles de Fermi. Recombinación deportadores. Trampas. Vida media. Longitud de difusión. Juntura p-n. Contacto metal-semiconductor. Juntura Schotkky. Efecto PEM. Decaimiento de la fotoconductividad. Fotoconductividad modulada. Fenómenos...
TOPICOS ESPECIALES DE FISICA DEL ESTADO SOLIDO:
Materiales Semiconductores: Fenomenología y Aspectos Experimentales
Programa analítico.
Capítulo I: Aspectos Básicos enSemiconductores
Visión fisicoquímica de los semiconductores. Enlace iónico y covalente. Coordinación Estructuras cristalinas. Gap medio. Gap interbandas. Estructura de bandas de energía. Potencialesperiódicos. Zonas de Brillouin. Estadistica de portadores en equilibrio. Masa efectiva de portadores. Procesos de conducción. Niveles de impurezas. Estados de defecto electrónico. Dopantes. Absorciónóptica. Semiconductores atípicos.
Capítulo II: Preparación de Semiconductores.
Crecimiento de cristales. Método de Czochralsky. Crecimiento de semiconductores policristalinos. Materiales enpelícula delgada. Crecimiento epitaxial. Evaporación. Descomposición química en fase vapor (CVD). Descomposición pirolítica. Características básicas de un plasma de baja energía. Sputtering. Descargaluminiscente. Incorporación controlada de impurezas.
Capítulo III: Instrumentación Básica.
Sistemas de vacío. Teoría de vacío. Aspectos de diseño. Bombas. Trampas. Cálculo de impedancias. Detecciónde pérdidas. Criostatos. Aspectos de diseño. Medición de temperatura. Amplificadores sensibles a fase. Electrómetros. Detectores ópticos. Fotomultiplicadores. Diodos. Termocuplas. Monocromadores.Fuentes de luz
Capítulo IV: Propiedades de transporte.
Mediciones básicas de transporte eléctrico. Método de las cuatro puntas. Método de Van der Paw. Errores. Métodos no contactantes. Concentraciónde portadores. Perfil de resistividad. Efecto Hall. Movilidad. Poder termoeléctrico.
Capítulo V: Portadores fuera de equilibrio
Fotoconductividad. Cuasi niveles de Fermi. Recombinación deportadores. Trampas. Vida media. Longitud de difusión. Juntura p-n. Contacto metal-semiconductor. Juntura Schotkky. Efecto PEM. Decaimiento de la fotoconductividad. Fotoconductividad modulada. Fenómenos...
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