TP Electronica MemoriasRAM
Páginas: 4 (766 palabras)
Publicado: 9 de febrero de 2015
Memorias RAM estáticas
Electrónica General y Aplicada
Facultad de Ingeniería – Universidad Nacional de Cuyo
RAM estática de 4 bits
La idea básica es poder almacenar o “escribir” un bit en unbiestable determinado,
seleccionado mediante una combinación binaria A1A0 denominada “dirección”, y luego poder
recuperarlo. Con la entrada de control R/-W=0 se realiza la escritura, y con R/-W=1la lectura.
En un esquema con entradas y salidas separadas el bit a escribir se presenta en la entrada D,
y luego se lee por la salida Q.
En un esquema con entrada y salida única (bidireccional), elbit se presenta para escribir o se
lee por el mismo terminal. Es lo más habitual.
D
R/-W
A1A0
D
E
Q
D
E
Q
D
E
Q
D
E
Q
Q
RAM 4 bits con
E/S separadas
DR/-W
A1A0
D
E
Q
D
E
Q
D
E
Q
D
E
Q
RAM 4 bits con
E/S bidireccional
Operación de Escritura: 1) Poner dirección en A1A0 y dato en D. 2) Aplicar
pulso negativo enR/-W 3) Ya se puede quitar el dato
Operación de Lectura: 1) Con R/-W en 1, poner dirección en A1A0. En Q se
tendrá el dato direccionado. (En la memoria E/S bidireccional, estará en D)
RAM estáticade 4 bits
RAM con E/S separadas
D
D
R/-W
E
D
0
A1
A0
Q
DECOD
2:4
Q
E
D
Q
E
D
R/-W
A1..0
Q
3
D
E
Q
Q
Al poner un dato en D, éste se presentaen los 4 biestables. Las salidas del decodificador combinadas en las AND de entrada
junto con la señal R/-W=0 habilitarán la escritura de uno de ellos, el direccionado por A 1A0 .
El mismodecodificador forma – con las AND de salida y la OR de salida – un multiplexor que selecciona una de las salidas Q
según los bits A1A0.
RAM estática de 4 bits
RAM con E/S separadas y buffers de TercerEstado (Triestate)
D
D
R/-W
E
D
0
A1
A0
Q
DECOD
2:4
Q
E
D
Q
E
D
R/-W
A1..0
bus
Q
3
D
E
Q
Q
La escritura es igual que antes.
En la salida,...
Electrónica General y Aplicada
Facultad de Ingeniería – Universidad Nacional de Cuyo
RAM estática de 4 bits
La idea básica es poder almacenar o “escribir” un bit en unbiestable determinado,
seleccionado mediante una combinación binaria A1A0 denominada “dirección”, y luego poder
recuperarlo. Con la entrada de control R/-W=0 se realiza la escritura, y con R/-W=1la lectura.
En un esquema con entradas y salidas separadas el bit a escribir se presenta en la entrada D,
y luego se lee por la salida Q.
En un esquema con entrada y salida única (bidireccional), elbit se presenta para escribir o se
lee por el mismo terminal. Es lo más habitual.
D
R/-W
A1A0
D
E
Q
D
E
Q
D
E
Q
D
E
Q
Q
RAM 4 bits con
E/S separadas
DR/-W
A1A0
D
E
Q
D
E
Q
D
E
Q
D
E
Q
RAM 4 bits con
E/S bidireccional
Operación de Escritura: 1) Poner dirección en A1A0 y dato en D. 2) Aplicar
pulso negativo enR/-W 3) Ya se puede quitar el dato
Operación de Lectura: 1) Con R/-W en 1, poner dirección en A1A0. En Q se
tendrá el dato direccionado. (En la memoria E/S bidireccional, estará en D)
RAM estáticade 4 bits
RAM con E/S separadas
D
D
R/-W
E
D
0
A1
A0
Q
DECOD
2:4
Q
E
D
Q
E
D
R/-W
A1..0
Q
3
D
E
Q
Q
Al poner un dato en D, éste se presentaen los 4 biestables. Las salidas del decodificador combinadas en las AND de entrada
junto con la señal R/-W=0 habilitarán la escritura de uno de ellos, el direccionado por A 1A0 .
El mismodecodificador forma – con las AND de salida y la OR de salida – un multiplexor que selecciona una de las salidas Q
según los bits A1A0.
RAM estática de 4 bits
RAM con E/S separadas y buffers de TercerEstado (Triestate)
D
D
R/-W
E
D
0
A1
A0
Q
DECOD
2:4
Q
E
D
Q
E
D
R/-W
A1..0
bus
Q
3
D
E
Q
Q
La escritura es igual que antes.
En la salida,...
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