TP Remoto


FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS INGENIERIA y AGRIMENSURA U.N.R.


ESCUELA DE FORMACION BASICA


DEPARTAMENTO DE FISICA y QUIMICA


FISICA IVTrabajo Práctico de Teoría: Procesos de recombinación en la juntura




Extracto:



Se hará un análisis para averiguar en qué partes de lajuntura ocurren más procesos de recombinación de portadores de carga, para un didodo infrarrojo, un diodo zener y una juntura de un transistor BJT.




















ALUMNOS
FECHA


Nº
Legajo
Apellidoy Nombre
Asist.
Firma Auxiliar


1






2






3






4







ENTREGADO
DEVUELTO
NOTA
FIRMA AUXILIAR

NOTA FINAL



















La consigna del trabajo es analizar en qué parte de la junturase recombinan más portadores de carga, para un diodo infrarrojo, un diodo zener y una juntura de un transistor BJT. Luego comparar las diferencias entre estos.

Debemos primero hallar cuál es larelación de la característica volt-ampere, con la recombinación en 3 distintos sectores:

a) El lado N.
b) El lado P.
c) La zona prohibida W.

Para esto debemos ver que la corriente circulante por el diodopuede ser dividida en componentes, según en qué región se produzca la recombinación:

a) I rec N
b) I rec P
c) I rec W

Denominamos entonces: I rec W= Corriente de recombinación. I rec N + I rec P= Idif = Corriente de Difusión.

Encontrándose que:






Si estudiamos el cociente en general se dará uno de los siguientes casos:








Entonces podemos definir un coeficiente η que variará entre 1y 2, incluido en la relación V-A del diodo, de la cual omitiremos su razonamiento:



con constante de Boltzmann
T = 23° C = 296 K temperatura aprox. ambiente
módulo de la carga delelectrón
Del análisis de la formula anterior, vemos que cuando η tienda a 2, habrá mayor recombinación en la brecha prohibida W, y cuando el η tienda a 1 la recombinación será mayoritariamente debido a...