Tptransistore 2 año eca

Analógicas II
TRANSISTORES
Trabajo práctico:
Grupo:
DEFINICIONES
Transistor Bipolar
ESTRUCTURA
Un transistor es un dispositivo de tres terminales: Base, Colector y Emisor. Hay dos tipos: NPN
y PNP. La mayoría de los transistores actuales se construyen depositando dos capasde silicio dopado
sobre una oblea de silicio también dopada. A este proceso se le conoce como doble fusión y dopar es el
proceso de convertir un material como el silicio en material tipo N o tipo P.
Las figuras muestran la estructura interna y su símbolo esquematico. El termino Bipolar, sirve
para distinguirlos de los transistores de efecto de campo FET, significa que la operación dependedel
movimiento de dos diferentes portadores de corriente: los electrones y los huecos. En un transistor
NPN los electrones son portadores mayoritarios, en los PNP la situación es inversa.
FUNCIONAMIENTO
El principio activo del transistor es simple, una corriente pequeña que se inyecta por el
Terminal de base controla el flujo de corriente por el colector. Para que pueda circularcorriente de
colector Ic en un transistor NPN el voltaje aplicado al colector debe ser positivo con respecto al
emisor. En un transistor PNP se requiere un voltaje negativo en el colector con respecto al emisor.
El parámetro que relaciona la corriente de colector Ic con la corriente de base Ib, se llama
ganancia de corriente.(hfe o beta)
El emisor emite, el colector recoge y la base
recombina.El sentido de las corrientes es el
contrario al de los electrones.
PUNTO DE TRABAJO
1. ZONA DE SATURACION: Al localizar el punto de trabajo en esta zona, se obtiene la máxima
corriente de colector Ic mientras que el voltaje entre colector y emisor se reduce al voltaje de colector
emisor de saturación (VCESAT). En la mayoría de las aplicaciones, este VCESAT se aproxima a cero volt.
Paralocalizar el punto de trabajo en esta zona se debe inyectar por la base la corriente necesaria
para lograr la corriente de colector de saturación. El transistor en esta zona se comportara como una
llave cerrada.
Todas las aplicaciones que impliquen conmutación y la presencia de un interruptor cerrado, se
deberán ubicar en esta zona.
2. ZONA DE CORTE: Se obtiene la operación complementariaa la anterior, por lo tanto va a
funcionar como una llave abierta, si se ubica el punto de trabajo en esta zona. Al aplicar una corriente
de base IB igual a cero, no hay corriente alguna por el colector y todo el voltaje de alimentación se
encuentra aplicado entre colector y emisor. (VCE)
3. ZONA LINEAL: Esta tercera zona de trabajo se utiliza para implementar amplificadores
lineales seseñales de voltajes débiles. Como es obvio, no hay afinidad alguna con las zonas anteriores.

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductorestá conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

NPN


El símbolo de un transistor NPN.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día sonNPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a...