Trabajo De Analogica

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE NICARAGUA UNAN-MANAGUA
“RECINTO UNIVERSITARIO RUBÉN DARÍO”

Electrónica Analógica I

Profesor:
Msc. Elim Campos.

Carrera:
Ing. Electrónica.

Grupo:
IE3N

Integrantes:
Kenner Alberto Sandoval Guerrero.
Byron José Somarrivas Castro.
Wilgen Antonio Gutiérrez.
Elias Daniel Pérez Corea.

“A la libertad por la universidad.”
INTRODUCCIÓN
Estetrabajo nos da a conocer de una manera concisa El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleados en la electrónica a la vez que se han ido incrementando sus capacidades en manejar potencias y frecuencias elevadas con gran fiabilidad.
Los transistores bipolares comúnmente conocido como BJT, este cuenta con dos configuraciones NPN y PNP. Son dispositivos activos con características nolineales, en esta investigación conoceremos su construcción y las diferentes aplicaciones ya que es una poderosa arma es el uso electrónico, su función amplificadora ya que es una de sus principales características.

Objetivo General:
* Explicar el funcionamiento práctico de los transistores bipolares y resolver circuitos donde se emplean estos estos dispositivos electrónicos.

ObjetivosEspecíficos:
* Explicar los fundamentos y los principios básicos de los transistores.
* Describir las características de los dispositivos electrónicos como es el transistor bipolar BJT
* Emplear los conocimientos en la solución de problemas de aplicación teórica. 
* Utilizar transistores en circuitos electrónicos.
  

DESARROLLO
¿Explique cómo se construye un transistor BJT?El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo,NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde laletra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometríaasociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
¿Explique la operación de un transistor npn o pnp? (Solo uno de ellos.)
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la juntura base-emisor está polarizada en directa y la juntura base-colectorestá polarizada en inversa.
Un breve ejemplo:
Cuando se le aplica una tensión positiva a la juntura base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones circulan a través de la base, desde la región de altaconcentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan agujeros como portadores mayoritarios en la base.
¿Cómo funciona la acción amplificadora del transistor?
Se polariza el emisor en directa y el colector en inversa, esta...