Trabajo estadistica

ANALISIS ESTADISTICO DE β DE LOS TRANSISTORES NPN
EN ELECTRO LASSER

JOSE MAURICIO VIDAL SOLANO
2006135799

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
FACULTAD DE INGENIERIA
PROGRAMA DE ELECTRONICA
2009
ANALISIS ESTADISTICO DE β DE LOS TRANSISTORES NPN
EN ELECTROLASSER

JOSE MAURICIO VIDAL SOLANO
2006135799

Asignatura de PROBABILIDAD Y ESTADISTICA
Profesor NELSON GUTIERRES GUZMANUNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
FACULTAD DE INGENIERIA
PROGRAMA DE ELECTRONICA
2009

INTRODUCCION

La mayoría de los ingenieros electrónicos han comprado al menos una vez en su vida un transistor para diseñar algún circuito electrónico, el diseño de los circuitos que contienen transistores involucran un factor de ganancia llamado β el cual se puede determinar con un simple multímetro digital. En eldiseño del circuito este factor es considerado de igual magnitud para todos los transistores, esto se hace para simplificar los cálculos y el análisis del circuito.

¿Pero que pasa cuando realizamos el montaje?, muchas veces el diseño no funciona, revisamos varias veces y las conexiones están bien hecha, entonces ¡Qué pasó¡. La razón es el β. cuando se realiza el montaje no consideramos que lostransistores tenían β diferentes, normalmente en el mercado electrónico el factor de ganancia de los transistores de baja señal varían entre 100 y 400 dependiendo del fabricante. Debido a esto muchas veces nos ha tocado medirlos antes de comprarlos. En esta Investigación vamos a analizar tres referencias de transistores muy comunes en el mercado para determinar diferencias importantes entre ellosOBJETIVOS

OBJETIVO GENERL

• Determinar si existen o no diferencias importantes entre las tres referencias de transistores escogidas.

OBJETIVOS ESPECIFICOS

• Agrupar los datos en tablas de frecuencias y realizar las respectivas gráficas.
• Hallar las medidas de tendencia central y de dispersión.
• Plantear ejercicios referentes a la investigación y aplicar las respectivasfórmulas
• Realizar un análisis de regresión y correlación.
• Obtener buenas conclusiones para determinar lo planteado.



JUSTIFICACION

Este trabajo se hace con el fin de saber si existen o no diferencias entre las tres referencias de transistores, por medio de los resultados obtenidos al final de la investigación haremos énfasis en la importancia de cada uno de los temas trabajadosdurante el curso de estadística.

ANALISIS ESTADISTICO DE β DE LOS TRANSISTORES NPN
EN ELECTROLASSER

1. TEMA

Determinar cual referencia tiene mayor ganancia, menor ganancia, mayor variación menor variación.

POBLACION: La totalidad de transistores de este tipo que se encontraron en el almacén es de 125

2. TAMAÑO DE LA MUESTRA

Después de determinar la población, mediante laecuación hallo el tamaño de la muestra:



Como no tengo una probabilidad de éxito y fracaso, ni conozco una varianza, porque no cuento con un estudio anterior, trabajo con los valores estándar: P = Q =50%.

Voy a trabajar con un nivel de confianza de 95% es decir a un Z=1.96 y un error muestral del 4%. Reemplazando estos valores en la ecuación tenemos:

n = 103.455 aproximamos a 105

Paraque los grupos tengan igual número de igual numero de datos, tomamos el valor de 105, osea 3 grupos de 35 datos. La muestra se realiza midiendo el β de 35 transistores de referencia 2n2222, 2n3906 y BC548. Estos transistores son los que comúnmente se compran en el mercado. Así obtenemos la siguiente tabla.

2n2222 2n3904 bc548
264 170 257
268 174 259
270 174 263
272 174 263
273 174 267
273176 267
273 176 268
274 177 269
274 178 273
276 178 273
276 178 275
277 179 275
279 180 277
280 180 278
280 181 280
280 181 281
280 182 281
281 182 283
282 182 286
283 185 289
290 192 294
290 232 311
299 246 329
299 263 331
300 263 347
300 342 356
300 344 357
300 347 364
301 357 367
302 361 369
302 364 375
302 365 375
303 371 380
310 372 382
311 374 410

3....