trabajo practico "Transistores BJT"


UNIVERSIDAD NACIONAL DE CORDOBA
UNC

FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS, FISICAS Y NATURALES



Cátedra: Electrónica Analógica I.

Trabajo Práctico de laboratorio: “Transistores BJT”.Integrantes:
Barquinero, Guillermo Adrián
Centurión, Jonathan José
Rodríguez Isleño, Gonzalo.


Año 2013


Objetivo
El objetivo de este trabajo es polarizar en directa untransistor bipolar, comprobar su funcionamiento utilizando para ello una señal de prueba y contrastar los resultados teóricos con los obtenidos de forma experimental, utilizando para ello la fuentediseñada y construida previamente.

Desarrollo
Para llevar a cabo el TP 2 se seleccionó el transistor BJT NPN de baja potencia BC547B.
Las especificaciones requeridas fueron las siguientes
VceQ
IcQ4 v
10 mA

Además de la especificación del punto de trabajo fueron dados como datos los siguientes valores.
Vcc
RL
RE
C1 (acople de entrada)
C2 (acople de salida)
C3 (desacople RE)
12 v
1Kohm
100 ohm
1 uF
10 uF
100 uF
Consultando el datasheet del BC547B se obtuvo:
hfe
VCEsat
290
90 mV

Con estos datos se calcularon los valores de RC, RB1 y RB2 de manera que se cumpla elcriterio de estabilidad de punto de trabajo:
Para calcular RC
=> RC = 700 ohm
Para calcular RB
Según el criterio de estabilidad RB < RE* hfe ; RE* hfe =29 Kohm, si tomo a RB = 10%RE*hfe
RB =2.9 Kohm redondeando RB =3 Kohm

Vbb se obtiene de dela ecuación
con Vbe = 0.7 v
De esta manera RB1 = 14 Kohm y RB1 =2.7
Finalmente losvalores normalizados
RC
RB1
RB1
680 ohm
15 Kohm
2.7 Kohm
Con los valores de los componentes calculados se construye el circuito. El diagraman del circuito es el siguienteA continuación, puede observarse, mediante el análisis en continua la ubicación del punto de trabajo, además de las excursiones permitidas a la corriente de colector.

De ello se deduce...