trabajo

DÉCIMA EDICIÓN

Electrónica:
teoría de circuitos
y dispositivos
electrónicos

ROBERT L. BOYLESTAD
LOUIS NASHELSKY

ECUACIONES SIGNIFICATIVAS
1 Diodos semiconductores W = QV, 1 eV = 1.6 * 10-19 J, ID = Is 1eVD>nVT - 12, VT = kT>q, TK = TC + 273°,
k = 1.38 * 10-23 J/K, VK Х 0.7 V 1Si2, VK Х 0.3 V1Ge2, VK Х 1.2 V 1GaAs2, RD = VD>ID, rd = 26 mV>ID, rprom = ¢Vd>¢Id ƒ pto. a pto. ,
PD =VD ID, TC = 1¢VZ >VZ2>1T1 - T02 * 100%>°C
2 Aplicaciones del diodo Silicio: VK Х 0.7 V, germanio: VK Х 0.3 V, GaAs: VK Х 1.2 V; media onda: Vcd = 0.318Vm;
onda completa: Vcd = 0.636Vm
3 Transistores de unión bipolar IE = IC + IB, IC = ICmayoritario + ICOminoritario , IC Х IE, VBE = 0.7 V, acd = IC>IE, IC = aIE + ICBO,
aca = ¢IC>¢IE, ICEO = ICBO>11 - a2, b cd = IC>IB, b ca = ¢IC>¢IB, a = b>1b+ 12, b = a>11 - a2, IC = bIB, IE = 1b + 12IB,
PCmáx = VCEIC
4 Polarización de cd de los BJT En general: VBE = 0.7 V, IC Х IE , IC = bIB; polarización fija: IB = 1VCC - VBE2>RB,VCE = VCC - ICRC,
ICsat = VCC>RC; estabilizado por el emisor: IB = 1VCC - VBE2>1RB + 1b + 12RE2, Ri = 1b + 12RE , VCE = VCC - IC1RC + RE2,
ICsat = VCC>1RC + RE2; divisor de voltaje: exacto: RTh = R1 7R2, ETh =R2VCC>1R1 + R22, IB = 1ETh - VBE2>1RTh + 1b + 12RE2,
VCE = VCC - IC1RC + RE2, aproximado: bRE Ն 10R2, VB = R2VCC>1R1 + R22, VE = VB - VBE, IC Х IE = VE>RE; realimentación de voltaje:
IB = 1VCC - VBE2>1RB + b1RC + RE22; base común: IB = 1VEE - VBE2>RE; transistores de conmutación: tencendido = tr + td , tapagado = ts + tf ;
estabilidad: S1ICO2 = ¢IC>¢ICO; polarización fija: S1ICO2 = b + 1; polarizaciónde emisor: S1ICO2 = 1b + 1211 + RB>RE2>11 + b + RB >RE2;
divisor de voltaje: S1ICO2 = 1b + 1211 + RTh>RE2>11 + b + RTh>RE2; polarización por realimentación: S1ICO2 = 1b + 1211 + RB>RC2>11 + b + RB>RC2,
S1VBE2 = ¢IC>¢VBE; polarización fija: S1VBE2 = - b>RB; polarización de emisor: S1VBE2 = - b>1RB + 1b + 12RE2; divisor de voltaje: S1VBE2 =
- b>1RTh + 1b + 12RE2; polarización porrealimentación: S1VBE2 = - b>1RB + 1b + 12RC2, S1b2 = ¢IC>¢b; polarización fija: S1b2 = IC1>b 1;
polarización de emisor: S1b2 = IC111 + RB>RE2> 1b 111 + b 2 + RB>RE22; divisor de voltaje: S1b2 = IC111 + RTh>RE2>1b 111 + b 2 + RTh>RE22;
polarización por realimentación: S1b2 = IC111 + RB>RC2>1b 111 + b 2 + RB>RC22, ¢IC = S1ICO2 ¢ICO + S1VBE2 ¢VBE + S1b2 ¢b
5 Análisis de ca de un BJT re = 26 mV>IE; CEpolarización fija: Zi Х bre, Zo Х RC, Av = -RC>re; polarización de divisor de voltaje: Zi = R1 7 R2 7 bre,
Zo Х RC, Av = -RC>re; CE polarización de emisor: Zi Х RB 7 bRE, Zo Х RC, Av Х -RC>RE; emisor seguidor: Zi Х RB 7 bRE, Zo Х re, Av Х 1;
base común: Zi Х RE 7re, Zo Х RC, Av Х RC>re; realimentación del colector: Zi Х re>11>b + RC>RF2, Zo Х RC 7RF, Av = -RC>re; realimentación de
cd del colector: Zi ХRF1 7 bre, Zo Х RC 7 RF2, Av = -1RF2 7 RC2>re; efecto de la impedancia de carga: Av = RLAvNL>1RL + Ro2, Ai = -Av Zi>RL;
efecto de la impedancia de la fuente: Vi = RiVs>1Ri + Rs2, Avs = Ri AvNL >1Ri + Rs2, Is = Vs>1Rs + Ri2; efecto combinado de la carga y la impedancia
de la fuente: Av = RLAv NL >1RL + Ro2, Avs = 1Ri>1Ri + Rs221RL >1RL + Ro22AvNL, Ai = -Av Ri>RL, Ais = -Avs1Rs + Ri2>RL;conexión
cascodo: Av = Av1Av2; conexión de Darlington: b D = b 1 b 2; configuración en emisor seguidor: IB = 1VCC - VBE2>1RB + b DRE2,
IC Х IE Х b DIB, Zi = RB||b 1 b 2RE, Ai = b DRB>1RB + b DRE), Av Х 1, Zo = re1>b 2 + re2; configuración de amplificador básica: Zi = R1||R2||Zi Ј,
Zi Ј = b 11re1 + b 2re22, Ai = b D1R1||R22>1R1||R2 + Zi Ј2, Av = b DRC>Zi Ј, Zo = RC||ro2; par de realimentación: IB1 =1VCC - VBE12>1RB + b 1 b 2RC2,
Zi = RB||Zi Ј, Zi Ј = b 1re1 + b 1 b 2RC, Ai = - b 1 b 2RB>1RB + b 1 b 2RC2 Av = b 2RC>1re + b 2RC2 Х 1, Zo Х re1>b 2.
6 Transistores de efecto de campo
IG = 0 A, ID = IDSS11 - VGS>VP22, ID = IS , VGS = VP 11 - 2ID>IDSS2, ID = IDSS>4 1si VGS = VP>22,
ID = IDSS>2 1si VGS Х 0.3 VP2, PD = VDSID , rd = ro>11 - VGS>VP22; MOSFET: ID = k1VGS - VT22, k = ID1encendido2...