Trabajo

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
SECRETARIA ACADEMICA DIRECCION EDUCATIVA MEDIA SUPERIOR

ELECTRONICA DE POTENCIA PRACTICA Nº 4 EL TRANSISTOR PRUEBA Y SUS ZONAS DE OPERACION RAP: Realiza pruebas y cálculos a partir de las características de operación del transistor como interruptor y conmutador enfocado en actividades de mantenimiento.

MATERIAL Y EQUIPO:

2 MULTIMETRO VOLMETRO 0-5 ; 0-25VQ1 TRANSISTOR PNP 2N3906 ö BC327 Q2 TRANSISTOR NPN 2N3904 ö BC337 R1 1KΩ ½ WATT R2 330 Ω ½ WATT R3 1MΩ RESISTENCIA VARIABLE (PRESET) PROTOBOARD

ANTECEDENTES: La unión base – emisor debe polarizarse directamente y la unión base-colector inversamente, el transistor se puede considerar como una conexión de dos diodos uno formado por la unión emisor-base y otro por la de base-colector. El lapractica de diodos debe deber haber comprobado que un diodo presenta poca resistencia cuando esta polarizado directamente y alta resistencia al contrario El tipo de transistor NPN ó PNP puede determinarse por las mediciones de la resistencia entre base – emisor y base – colector, base – colector, así como también saber sí el transistor esta en condiciones de operación.

Determinar las puntas colector,emisor y base (sin importar que tipo sea NPN ö PNP).

ELABORO: J.JAVIER REYNA MARTINEZ

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Polarización y prueba de Transistores

GANANCIA : Los ohmetros operan con una fuente interna de 1.5 a 9 Volt los rangos de baja resistencia (R1 y R10) permiten un mayor flujo de corriente y en consecuencia pueden dañar el transistor dependiendo de las características de este. Normalmentese usan los rangos de Rx10 y Rx100. DESARROLLO: 1) Conecte la terminal negativa del ohmetro a la negativa un voltámetro de CD colocando en la escala de 25 volts. Tenga el ohmetro en la escala de Rx100 ohms y toque rápidamente la terminal positiva del voltámetro con la del ohmetro. Si la aguja del medidor tiene un movimiento descendente, tendrá que invertir los cables que van al volmetro. ¿Cuál esla tensión interna del ohmetro? ______________________ Vcd. 2) Ahora mediremos y registraremos la resistencia en sentido directo entre el emisor y la base del transistor PNP. Monte el circuito ilustrado en la figura 3. El ohmetro debe calibrarse al hacer cada medición y mantenerse en el rango Rx10. Anote la resistencia.

La resistencia directa EB es ___________________ ohms

ELABORO: J.JAVIERREYNA MARTINEZ

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Polarización y prueba de Transistores

3) Invierta las terminales del ohmetro. Mida y registre la resistencia inversa entre emisor y base del transistor PNP La resistencia inversa EB es _____________________ ohms 4) Ahora mediremos y registremos la resistencia en sentido directo entre colector y base del transistor PNP. Monte el circuito que se muestra en la fig4.

La resistencia directa CB, medida es __________________ ohms

5) Invierta las terminales del ohmetro. Mida y registre la resistencia inversa entre colector y base del transistor PNP. . La resistencia inversa CB medida es ____________________ ohms. 6) ¿Qué debe hacerse con la polaridad de las tensiones aplicadas para medir las resistencias directa e inversa del transistor NPN?

7) Mida yregistre las resistencias directas e inversa entre emisor y base del transistor NPN (Q2). El ohmetro debe estar todavía en la escala Rx100 (consulte figura 3) La resistencia directa EB medida es _____________________ ohms. La resistencia inversa EB medida es ____________________ ohms.

ELABORO: J.JAVIER REYNA MARTINEZ

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Polarización y prueba de Transistores

8) Mida y registrelas resistencias directas en los puntos 1 al 7. Describa las indicaciones generales del ohmetro en las terminales base – emisor y base – colector, tanto del transistor PNP como del NPN. 9) Al ser probados bajo este procedimiento y debido a que el multimetro proporciona un voltaje lo suficienemente alto para dañar las uniones de algunos transistores pueden sufrir daños se recomienda el siguiente...