Trabajos

Introducción 3
Objetivos 4
Desarrollo 5
III.1. Parámetros de un BJT en corriente directa. 5
III.2. Parámetros de un BJT en corriente alterna. 6
III.2.1. Configuración 1 7
a) parámetros h 7
b) parámetros g 8
III.2.2. Configuración 2 9
a) parámetros h 9
b) parámetros g 10
III.2.3. Configuración 3 11
a) parámetros h 11
b) parámetros g 12
III.3 Calculo de los parámetrosfaltantes 13
Conclusión 15

Introducción

Las redes de dos puertos son circuitos formados por dos pares de terminales, denominados puerto de entrada y otro llamado puertos de salida, y está constituido por elementos de circuito lineales. En el presente reporte se muestra la práctica de un circuito con transistor BJT NPN, donde lo polarizamos y pudimos obtener los parámetros h y g de losdiferentes circuitos además de la matriz de parámetros de diferentes configuraciones.

Objetivos

Objetivo General:
-Familiarizarse con el transistor BJT, donde en un circuito está haciendo una función de amplificar.

Objetivos Específicos:
-Obtener experimentalmente la matriz de parámetros h, de mediante la polarización en corriente directa de un transistor BJT.
-Obtener matrices deparámetros h y g para un BJT en corriente alterna.

Desarrollo

III.1. Parámetros de un BJT en corriente directa.

Determinar los parámetros híbridos del circuito con transistor BJT.

Dejando V2 en cortocircuito es decir V2 = 0, y acoplando una fuente de 5 V en V1 se mide I1, I2 y V1. Obteniéndose los siguientes resultados:

V2=0

V1=5.06v

I1=93.8µA

I2=-20.5µA

Ahora sedejara I1 en circuito abierto, es decir I1 = 0; se mide V1, V2, e I2. Obteniéndose los siguientes resultados:

I1=0

V1=1.9mv

V2=5.11v

I2=0

Ya tenemos todo para poder calcular los parámetros híbridos de nuestro circuito, ahora solo obtenemos nuestros parámetros h11, h12, h21, h22.

Cuando V2= 0
h11=V1I1=5.06v93.8µA=53.9kΩ

h21=I2I1=-20.5µA93.8µA=0.22

Cuando I1= 0h12=V1V2=1.9mv5.11v=371.9µ

h21=I2V2=05.11v=0
Obtuvimos la matriz de parámetros híbridos siguientes:

III.2. Parámetros de un BJT en corriente alterna.

Determinar los parámetros g y h para cada configuración.
* Usar generador a 1Khz (señal senoidal).
* Usar capacitores de 100µF.
* Resistores de orden KΩ excepto (RE).
III.2.1. Configuración 1

a) parámetros h

Dejando V2 encortocircuito es decir V2 = 0, y acoplando una corriente alterna en V1, y para obtener el parámetro h11, tenemos que tener nuestra señal amplificada a la mitad de voltaje de nuestra señal de entrada con el potenciómetro, y ya que sea la mitad, quitamos el potenciómetro y le medimos la resistencia, y esa será nuestro parámetro. Obtuvimos los siguientes resultados:

V2=0

R=6.4KΩh11=R=6.4KΩ

Ahora se dejara I1 en circuito abierto, es decir I1 = 0; se mide V1, V2, y al igual que en el paso anterior, medimos el valor de la resistencia del potenciómetro para cuando la señal amplificada sea la mitad de la señal de entrada, el valor de la resistencia le sacamos la inversa para obtener el parámetro. Obtuvimos los siguientes resultados:

V1=500mv

V2=0

R=3.48KΩh22=13.48KΩ=287µS
b) parámetros g

Dejando V1 en cortocircuito es decir V1 = 0, y acoplando una corriente alterna en V1 y para obtener el parámetro h11, tenemos que tener nuestra señal amplificada a la mitad de voltaje de nuestra señal de entrada con el potenciómetro, y ya que sea la mitad, quitamos el potenciómetro y le medimos la resistencia, y esa será nuestro parámetro. Obtuvimos lossiguientes resultados:

V1=0

R=1.68KΩ

g22=R=1.68KΩ

Ahora se dejara I1 en circuito abierto, es decir I1 = 0; se mide V1, V2, y al igual que en el paso anterior, medimos el valor de la resistencia del potenciómetro para cuando la señal amplificada sea la mitad de la señal de entrada, el valor de la resistencia le sacamos la inversa para obtener el parámetro. Obtuvimos los...