TRANS



El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienenque soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:

.-Pequeñas fugas.
.-Alta potencia.
.-Bajos tiempos derespuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.
.-Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.
.-Que el efecto avalancha se produzca a un valorelevado ( VCE máxima elevada).
.-Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares,es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas alas uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

1) En un transistor bipolar IB controla lamagnitud de IC.
2) En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
3) En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor.

PARAMETROS IMPORTANTES
*Corriente media: es elvalor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. ICAV, corriente media por el colector).
*Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM).Con este valor se determina la máxima disipación de potencia del dispositivo.

*VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en circuito abierto.
*VEBO: tensión entre losterminales emisor y base con el colector en circuito abierto.

*Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los...