Transformador de Efecto de Campo (FET)

Dispositivos Electrónicos

• En español quiere decir Transistor de
Efecto de Campo, dispositivo
semiconductor que controla un flujo de
corriente por un canal semiconductor,
aplicando un campoeléctrico
perpendicular a la trayectoria de la
corriente.
• Esta compuesto de una parte de silicio
tipo N, a la cual se le adicionan dos
regiones con impurezas tipo P, llamadas
compuertas yque están unidas entre si.

• Las terminales que lo componen se
llaman Drenador (D), Fuente (N) y
Compuerta (G) que son las
impurezas tipo P anteriormente
mencionadas.
• La región que existeentre el
Drenador y la Fuente y que es el
camino obligado de los electrones se
llama ``Canal´´. Haciendo que la
corriente circule de Drenaje a
Fuente.

FÍSICA

SIMBOLÓGICA

GRAFICA

•Este tipo de transistor se polariza de
manera diferente al Bipolar. El
terminal de Drenaje se polariza
positivamente con el respecto al
terminal de la Fuente (Vdd) y la
Compuerta se polarizanegativamente con respecto a la
Fuente (-Vgg)
• A mayor voltaje –Vgg, mas angosto
es el canal y mas difícil para la
corriente pasar terminal Drenador a
la de la Fuente.

• El FET es controladopor la tensión, y
los cambios en tención de la
Compuerta (G) a Fuente (S)
modifican la región de rarefacción y
causan que varié el ancho del canal.

• Los FET’s son de tres zonas semiconductorasjuntas, dopadas
alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de
electrones.
ESTRUCTURAS
FET (tipo N)

FET (tipo P)

• Las uniones Compuerta-Drenador y la de Fuente-Compuerta
estánpolarizadas en inversa, de tal forma que no existe otra
corriente que la inversa de saturación de la unión P N

• La zona ``n´´ (canal) es pequeña y la amplitud de la zona de
deplexión afecta ala longitud efectiva del canal. La longitud
de la zona de deplexión depende de la tención inversa (la
tensión de la compuerta).

• En esta grafica se muestra que al aumentar el voltaje Vds...