Transiator bjt
Páginas: 3 (590 palabras)
Publicado: 8 de noviembre de 2011
UNIVEPRÁCTICA 4RSIDAD POLITÉCNICA SALASIANA
TEMA: EL BJT COMO INTERRUPTOR (EN CONMUTACIÓN)
NOMBRE: BYRON PARRA
FECHA: 25/10/2011
ANEXO
SIMULACIÓN
TRANSISTORES EN CIRCUITOS DECONMUTACIÓN
Muchas veces se presenta la difícil situación de manejar corrientes o tensiones más grandes que las que entrega un circuito digital, y entonces nos disponemos al uso de transistores, el tema eshacer que estos trabajen en modo corte y saturación sin estados intermedios, es decir que cambien su estado de plena conducción a un profundo corte, y eso es lo que veremos en este pequeño tutorial.Los transistores a utilizar en estos casos deben tener la suficiente ganancia para que la onda cuadrada, aplicada en su entrada (Base), no sufra ninguna deformación en la salida (Colector o Emisor), osea que conserve perfecta simetría y sus flancos ascendente y descendente se mantengan bien verticales.
La corriente máxima que puede circular de colector a emisor está limitada por la tensión depolarización de Base y el Resistor o la carga del colector.
Polarización de un transistor NPN como Emisor Común
En este caso el emisor está conectado a masa, se dice que este terminal es común a laseñal de base y de colector. El utilizado en este caso un BC547 y estos son algunos de sus datos:
* Tensión Base-Colector (VCBO) = 50 V
* Corriente de Colector (Ic) = 100mA = 0,1A
Cuando labase de Q1 se polariza positivamente, éste conduce la máxima corriente, que le permite Rc.
Rc es la resistencia de carga, que bien podría ser un LED, un relé, etc.
Ic = E/R = 12V / 2200 = 0,0054= 5,4 mA
Ib = E/R = 12V / 10000 = 0,0012 = 1,2 mA
Es decir la corriente total Colector-Emisor es 6,6mA.
Light Dependent Resistor (LDR)
El LDR (resistor dependiente de la luz) es una resistenciaque varía su valor dependiendo de la cantidad de luz que la ilumina.
Los valores de una fotorresistencia cuando está totalmente iluminada y cuando está totalmente a oscuras varía.
Puede medir...
TEMA: EL BJT COMO INTERRUPTOR (EN CONMUTACIÓN)
NOMBRE: BYRON PARRA
FECHA: 25/10/2011
ANEXO
SIMULACIÓN
TRANSISTORES EN CIRCUITOS DECONMUTACIÓN
Muchas veces se presenta la difícil situación de manejar corrientes o tensiones más grandes que las que entrega un circuito digital, y entonces nos disponemos al uso de transistores, el tema eshacer que estos trabajen en modo corte y saturación sin estados intermedios, es decir que cambien su estado de plena conducción a un profundo corte, y eso es lo que veremos en este pequeño tutorial.Los transistores a utilizar en estos casos deben tener la suficiente ganancia para que la onda cuadrada, aplicada en su entrada (Base), no sufra ninguna deformación en la salida (Colector o Emisor), osea que conserve perfecta simetría y sus flancos ascendente y descendente se mantengan bien verticales.
La corriente máxima que puede circular de colector a emisor está limitada por la tensión depolarización de Base y el Resistor o la carga del colector.
Polarización de un transistor NPN como Emisor Común
En este caso el emisor está conectado a masa, se dice que este terminal es común a laseñal de base y de colector. El utilizado en este caso un BC547 y estos son algunos de sus datos:
* Tensión Base-Colector (VCBO) = 50 V
* Corriente de Colector (Ic) = 100mA = 0,1A
Cuando labase de Q1 se polariza positivamente, éste conduce la máxima corriente, que le permite Rc.
Rc es la resistencia de carga, que bien podría ser un LED, un relé, etc.
Ic = E/R = 12V / 2200 = 0,0054= 5,4 mA
Ib = E/R = 12V / 10000 = 0,0012 = 1,2 mA
Es decir la corriente total Colector-Emisor es 6,6mA.
Light Dependent Resistor (LDR)
El LDR (resistor dependiente de la luz) es una resistenciaque varía su valor dependiendo de la cantidad de luz que la ilumina.
Los valores de una fotorresistencia cuando está totalmente iluminada y cuando está totalmente a oscuras varía.
Puede medir...
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