Transisteroes Bjt
Páginas: 7 (1590 palabras)
Publicado: 6 de junio de 2012
Transistores de unión Bipolar
Joan Camilo Poveda jcpovedaf@unal.edu.co, Daniel Esteban Fonseca defonsecap@unal.edu.co
Abstract—This report will present how to identify junctions of a bipolar transistor, struts will analyze the behavior of IC vs. VBE and IC Vs VCE, and finally look at some of the forms of polarization of bipolar transistors in resistive networks, analyzing advantages anddisadvantages of each assembly.
Index Terms—Transistor, Emisor, Base, Collector.
INTRODUCCIÓN
E
l uso de transistores de la electrónica moderna conlleva al desarrollo tecnológico que se puede apreciar en la modernidad. Por esta razón, es indispensable conocer su comportamiento y poder caracterizarlos de manera adecuada para su uso y aplicación. De esta forma, a través del presente informe severán varios aspectos importantes de dichos elementos como su implementación debido a su utilidad al momento de realizar tareas en las que la potencia es un aspecto importante, siendo capaces de amplificarla de manera adecuada sin presentar mayor consumo de energía; razón por la cual fueron base para los circuitos integrados de uso común en la industria, en donde el entender el comportamiento deestos elementos es indispensable para su funcionamiento y comportamiento bajo diferentes condiciones de operación.
Marco Teórico
El transistor de juntura bipolar (BJT), elemento activo, tiene tres zonas de dopado: emisor, base y colector, dependiendo del tipo de dopado se clasifican en transistores npn o pnp. Se puede decir que estos elementos están formados por dos uniones pn, una entreemisor y base y la otra entre base y colector, es como tener dos diodos. Su uso principalmente se observa en la amplificación de señales [1].
A continuación se presentan las representaciones de los transistores npn y pnp.
Figura 1: Símbolo de transistor npn.
Figura 1: Símbolo de transistor npn.
Figura 2: Símbolo de transistor pnp.
Figura 2: Símbolo de transistor pnp.
Los portadores decarga de las polaridades (electrones y huecos) participan en el proceso de conducción de corriente en un transistor, es por esto que para su correcto funcionamiento se necesita polarizar correctamente [2].
A. Polarización de un transistor npn.
Figura 3: Polarización de un npn.
Figura 3: Polarización de un npn.
Las fuentes de tensión en la figura 3, representadas como baterías, se usanpara establecer las condiciones de polarización requeridas para la operación en modo activo. El voltaje VBE causa que la base tipo p tenga mayor potencial que el emisor tipo n; por lo tanto, la unión emisor-base tiene polarización directa. El voltaje VCBorigina que el colector tipo n esté a un potencial mayor que la base tipo p, de modo que la unión colector-base tiene polarización inversa.B. Polarización de un transistor pnp,
Las fuentes de tensión en la figura 4, representadas como baterías, se usan para establecer las condiciones de polarización requeridas para la operación en modo activo. El voltaje VEB causa que la emisor tipo p tenga mayor potencial que la base tipo n; por lo tanto, la unión base-emisor tiene polarización directa. El voltaje VBC polariza de manerainversa la unión colector-base, es decir, el potencial del colector tipo p es menor que el de la base tipo n.
Figura 4: Polarización de un pnp.
Figura 4: Polarización de un pnp.
Para el análisis de circuitos con transistores es necesario recordar la ley de corrientes de Kirchhoff, la cual establece que la suma de todas las corrientes que entran por un nodo es igual a las que salen por el mismonodo. Al aplicarla, tanto en los circuitos de las figuras 3 y 4 obtenemos la siguiente relación:
IE= IC+ IB
También, una de las cosas que hace que el transistor sea útil es que la corriente de colector es mucho mayor que la corriente de base, esta es β veces mayor.
IC= βIB
I. Cálculos Realizados
A. Polarización de transistores BJT en redes resistivas.
Circuito 1:...
Joan Camilo Poveda jcpovedaf@unal.edu.co, Daniel Esteban Fonseca defonsecap@unal.edu.co
Abstract—This report will present how to identify junctions of a bipolar transistor, struts will analyze the behavior of IC vs. VBE and IC Vs VCE, and finally look at some of the forms of polarization of bipolar transistors in resistive networks, analyzing advantages anddisadvantages of each assembly.
Index Terms—Transistor, Emisor, Base, Collector.
INTRODUCCIÓN
E
l uso de transistores de la electrónica moderna conlleva al desarrollo tecnológico que se puede apreciar en la modernidad. Por esta razón, es indispensable conocer su comportamiento y poder caracterizarlos de manera adecuada para su uso y aplicación. De esta forma, a través del presente informe severán varios aspectos importantes de dichos elementos como su implementación debido a su utilidad al momento de realizar tareas en las que la potencia es un aspecto importante, siendo capaces de amplificarla de manera adecuada sin presentar mayor consumo de energía; razón por la cual fueron base para los circuitos integrados de uso común en la industria, en donde el entender el comportamiento deestos elementos es indispensable para su funcionamiento y comportamiento bajo diferentes condiciones de operación.
Marco Teórico
El transistor de juntura bipolar (BJT), elemento activo, tiene tres zonas de dopado: emisor, base y colector, dependiendo del tipo de dopado se clasifican en transistores npn o pnp. Se puede decir que estos elementos están formados por dos uniones pn, una entreemisor y base y la otra entre base y colector, es como tener dos diodos. Su uso principalmente se observa en la amplificación de señales [1].
A continuación se presentan las representaciones de los transistores npn y pnp.
Figura 1: Símbolo de transistor npn.
Figura 1: Símbolo de transistor npn.
Figura 2: Símbolo de transistor pnp.
Figura 2: Símbolo de transistor pnp.
Los portadores decarga de las polaridades (electrones y huecos) participan en el proceso de conducción de corriente en un transistor, es por esto que para su correcto funcionamiento se necesita polarizar correctamente [2].
A. Polarización de un transistor npn.
Figura 3: Polarización de un npn.
Figura 3: Polarización de un npn.
Las fuentes de tensión en la figura 3, representadas como baterías, se usanpara establecer las condiciones de polarización requeridas para la operación en modo activo. El voltaje VBE causa que la base tipo p tenga mayor potencial que el emisor tipo n; por lo tanto, la unión emisor-base tiene polarización directa. El voltaje VCBorigina que el colector tipo n esté a un potencial mayor que la base tipo p, de modo que la unión colector-base tiene polarización inversa.B. Polarización de un transistor pnp,
Las fuentes de tensión en la figura 4, representadas como baterías, se usan para establecer las condiciones de polarización requeridas para la operación en modo activo. El voltaje VEB causa que la emisor tipo p tenga mayor potencial que la base tipo n; por lo tanto, la unión base-emisor tiene polarización directa. El voltaje VBC polariza de manerainversa la unión colector-base, es decir, el potencial del colector tipo p es menor que el de la base tipo n.
Figura 4: Polarización de un pnp.
Figura 4: Polarización de un pnp.
Para el análisis de circuitos con transistores es necesario recordar la ley de corrientes de Kirchhoff, la cual establece que la suma de todas las corrientes que entran por un nodo es igual a las que salen por el mismonodo. Al aplicarla, tanto en los circuitos de las figuras 3 y 4 obtenemos la siguiente relación:
IE= IC+ IB
También, una de las cosas que hace que el transistor sea útil es que la corriente de colector es mucho mayor que la corriente de base, esta es β veces mayor.
IC= βIB
I. Cálculos Realizados
A. Polarización de transistores BJT en redes resistivas.
Circuito 1:...
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