transistor bi polar

Transistor de unión bipolar


Transistor de unión bipolar.


Diagrama de Transistor NPN
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) GART es un dispositivo electrónico de estado sólidoconsistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debea que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electronesnegativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunquetambién en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que estaterminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisoratraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
Índice
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1 Estructura
2 Funcionamiento
2.1 Control de tensión, carga y corriente
2.2 El Alfa y Beta del transistor
3 Tipos de Transistor de Unión Bipolar
3.1 NPN3.2 Ejemplo Práctico de NPN
3.3 PNP
4 Regiones operativas del transistor
5 Historia
6 Teoría y Modelos Matemáticos
6.1 Análisis en continua
6.1.1 El modelo Ebers-Moll
6.2 Modelo en pequeña señal
6.2.1 Parámetros h
7 Referencias
8 Véase también
9 Enlaces externos
Estructura[editar]


Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, laregión de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN ARIAS. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.


Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN. Donde se puede apreciar comola unión base-colector es mucho más amplia que la base-emisor.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante deα se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran β.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistorestá usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está...