transistor BJT
Páginas: 2 (305 palabras)
Publicado: 2 de abril de 2013
Construcción de un Transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas tipo p y una dematerial tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp, ambos mostrados en la figura 2.2. La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector sólo unpoco dopado. Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del material tipo p o n emparedado. Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de estematerial al limitar el número de portadores “libres”.
Las terminales se identifican por medio de las letras mayúsculas E para emisor, C para colector y B para base. La abreviatura BJT (debipolar junction transistor) se suele aplicar a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en el proceso de inyección hacia elmaterial opuestamente polarizado.
Operación del Transistor
Se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp. La operación del transistor npn es exactamente la mismacon los roles de los electrones y huecos intercambiados. El transistor pnp sin polarización entre la base y el colector se muestra en la figura 2.3, el ancho de la región de empobrecimiento seredujo a causa de la polarización aplicada y el resultado fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al material tipo n. Eliminando la polarización de la base al emisordel transistor pnp de la figura 2.4. El flujo de portadores mayoritarios es cero, y el resultado es solo un flujo de portadores minoritarios.
En suma por consiguiente:
La unión p-n de untransistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas tipo p y una dematerial tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp, ambos mostrados en la figura 2.2. La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector sólo unpoco dopado. Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del material tipo p o n emparedado. Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de estematerial al limitar el número de portadores “libres”.
Las terminales se identifican por medio de las letras mayúsculas E para emisor, C para colector y B para base. La abreviatura BJT (debipolar junction transistor) se suele aplicar a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en el proceso de inyección hacia elmaterial opuestamente polarizado.
Operación del Transistor
Se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp. La operación del transistor npn es exactamente la mismacon los roles de los electrones y huecos intercambiados. El transistor pnp sin polarización entre la base y el colector se muestra en la figura 2.3, el ancho de la región de empobrecimiento seredujo a causa de la polarización aplicada y el resultado fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al material tipo n. Eliminando la polarización de la base al emisordel transistor pnp de la figura 2.4. El flujo de portadores mayoritarios es cero, y el resultado es solo un flujo de portadores minoritarios.
En suma por consiguiente:
La unión p-n de untransistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa.
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