Transistor bjt
Páginas: 4 (757 palabras)
Publicado: 24 de junio de 2011
El Transistor de Unión Bipolar (BJT)
El BJT (Bipolar Juction Transistor) es un dispositivo semiconductor de estado sólido formado por dos uniones PN muy cercanas entre sí en un solo cristal. Así,se puede formar por la unión de un material “p” entre dos “n” (BJT npn) o un material de tipo “n” entre dos “p” (BJT pnp). Esta característica permite controlar el paso de la corriente a través desus terminales. Es uno de los principales dispositivos que se utiliza para operaciones de amplificación y como interruptor electrónico.
Los terminales reciben los nombres de:
Base (B), Emisor (E),Colector ( C )
1.- Características del BJT
• Los BJT exhiben características de fuentes controladas.
• Es un dispositivo controlado por corriente.
• Se desea controlar la corriente decolector (Ic) a través de la corriente de base (IB).
• El emisor se diferencia de las otras capas por estar fuertemente dopado, comportándose como un metal.
• La base es la capa intermedia, muy estrecha,que separa el emisor y el colector.
• El colector es de extensión mucho mayor.
• Los sentidos positivos de las corrientes son los indicados en la figura.
2.- Principio de Funcionamiento:(Tomaremos como ejemplo un BJT pnp )
• Al realizar una unión pn se forma una barrera de potencial que impide que los huecos del material p se recombinen con los electrones del material n. Así, tendremos dosuniones pn en un BJT:
La unión Emisor-Base (JE) llamada unión de Emisor
Unión Colector-Base (Jc) llamada unión de Colector.
• Para que el BJT funcione como amplificador esnecesario polarizar la unión de emisor en “Directo” y la Unión de Colector en inverso. Se recuerda que en una polarización en directo, el positivo de la fuente se coloca del lado del material p.
• Alpolarizar la unión de emisor en directo se crea una corriente de huecos que parte del emisor y atraviesa la unión JE. Parte de estos huecos se recombinan en la base pero la mayoría continua, atravesando la...
El BJT (Bipolar Juction Transistor) es un dispositivo semiconductor de estado sólido formado por dos uniones PN muy cercanas entre sí en un solo cristal. Así,se puede formar por la unión de un material “p” entre dos “n” (BJT npn) o un material de tipo “n” entre dos “p” (BJT pnp). Esta característica permite controlar el paso de la corriente a través desus terminales. Es uno de los principales dispositivos que se utiliza para operaciones de amplificación y como interruptor electrónico.
Los terminales reciben los nombres de:
Base (B), Emisor (E),Colector ( C )
1.- Características del BJT
• Los BJT exhiben características de fuentes controladas.
• Es un dispositivo controlado por corriente.
• Se desea controlar la corriente decolector (Ic) a través de la corriente de base (IB).
• El emisor se diferencia de las otras capas por estar fuertemente dopado, comportándose como un metal.
• La base es la capa intermedia, muy estrecha,que separa el emisor y el colector.
• El colector es de extensión mucho mayor.
• Los sentidos positivos de las corrientes son los indicados en la figura.
2.- Principio de Funcionamiento:(Tomaremos como ejemplo un BJT pnp )
• Al realizar una unión pn se forma una barrera de potencial que impide que los huecos del material p se recombinen con los electrones del material n. Así, tendremos dosuniones pn en un BJT:
La unión Emisor-Base (JE) llamada unión de Emisor
Unión Colector-Base (Jc) llamada unión de Colector.
• Para que el BJT funcione como amplificador esnecesario polarizar la unión de emisor en “Directo” y la Unión de Colector en inverso. Se recuerda que en una polarización en directo, el positivo de la fuente se coloca del lado del material p.
• Alpolarizar la unión de emisor en directo se crea una corriente de huecos que parte del emisor y atraviesa la unión JE. Parte de estos huecos se recombinan en la base pero la mayoría continua, atravesando la...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.