transistor bjt
Páginas: 2 (462 palabras)
Publicado: 20 de septiembre de 2013
GENERALIDADES DEL TRANSISTOR BJT
Universidad Distrital “Francisco José de Caldas”, Facultad Tecnológica
Tecnología Electrónica, mayo de 2012
Jennyt Carolina Munévar Páez 20101073004
1.Objetivo
Mediante la elaboración del presente informe se darán a conocer las principales características del transistor BJT, Para poder proceder a realizar, posteriormente, un análisis más detallado delas diferentes configuraciones que se pueden elaborar con dichos transistores, y sus aplicaciones.
2. Resumen
En el informe se puede encontrar una breve descripción del transistor. Como estáconstituido, para qué se utiliza y a partir de qué fecha se empezó a utilizar en la industria.
3. Contenido
3.1 Introducción
A partir de 1904, el tubo de vacío tomo gran importancia en la industria, ysu desarrollo fue avanzando velozmente, obteniendo así mejoras en cuanto a diseño, técnicas de manufactura, aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, y en cuanto a la miniaturización. Pero afinales de 1947 en los Bell Telephone Laboratories, Walter H. Brattain y Jhon Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor; El cual mostró inmediatamente mejoras evidentes sobre eltubo electrónico
3.2 construcción del transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor que está constituido por dos capas de material N y una capa de material P, o dos capas de material Py una de N. Al primero se le denomina transistor NPN y al otro, transistor PNP. En las figuras 1 y 2 se puede observar la configuración interna tanto de los NPN como de los PNP. Reciben una señal enDC, (la cual debe estar correctamente polarizada para) que establece una región de trabajo apropiada para la amplificación de CA. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores queposeen mayor nivel de dopaje que los materiales internos. Externamente, el transistor tiene tres terminales que se denominan Base, Emisor y Colector.
Figura1.transistor PNP (a). Transistor NPN...
Universidad Distrital “Francisco José de Caldas”, Facultad Tecnológica
Tecnología Electrónica, mayo de 2012
Jennyt Carolina Munévar Páez 20101073004
1.Objetivo
Mediante la elaboración del presente informe se darán a conocer las principales características del transistor BJT, Para poder proceder a realizar, posteriormente, un análisis más detallado delas diferentes configuraciones que se pueden elaborar con dichos transistores, y sus aplicaciones.
2. Resumen
En el informe se puede encontrar una breve descripción del transistor. Como estáconstituido, para qué se utiliza y a partir de qué fecha se empezó a utilizar en la industria.
3. Contenido
3.1 Introducción
A partir de 1904, el tubo de vacío tomo gran importancia en la industria, ysu desarrollo fue avanzando velozmente, obteniendo así mejoras en cuanto a diseño, técnicas de manufactura, aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, y en cuanto a la miniaturización. Pero afinales de 1947 en los Bell Telephone Laboratories, Walter H. Brattain y Jhon Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor; El cual mostró inmediatamente mejoras evidentes sobre eltubo electrónico
3.2 construcción del transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor que está constituido por dos capas de material N y una capa de material P, o dos capas de material Py una de N. Al primero se le denomina transistor NPN y al otro, transistor PNP. En las figuras 1 y 2 se puede observar la configuración interna tanto de los NPN como de los PNP. Reciben una señal enDC, (la cual debe estar correctamente polarizada para) que establece una región de trabajo apropiada para la amplificación de CA. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores queposeen mayor nivel de dopaje que los materiales internos. Externamente, el transistor tiene tres terminales que se denominan Base, Emisor y Colector.
Figura1.transistor PNP (a). Transistor NPN...
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