Transistor Bjt

República Bolivariana de Venezuela
Instituto Universitario de Tecnología READIC
Electrónica I



Funcionamiento del Transistor BJT en Corriente Alterna (AC)

Realizado por:
Fuenmayor, Juan C.

Modelaje del Transistor BJT
Modelado re del transistor.
El modelo reemplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés. Recuérdese que una fuente de corriente controlada por corriente es aquélla donde los parámetros de la fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la red. De hecho,en general:
Los amplificadores de transistor BJT se conocen comodispositivos controlados por corriente.
 
Configuración de base común
En la figura 7.16a se ha insertado un transistor pnp de base común dentro de la estructura de dos puertos empleada en nuestra discusión de las recientes secciones. En la figura 7.16b se ha colocado el modelo re para el transistor entre las mismas cuatro terminales. Como se observó en la sección 7.3, el modelo (circuito equivalente) seescoge de una forma tal que se tenga una aproximación del comportamiento del dispositivo al reemplazarlo en la región de operación de interés. En otras palabras, los resultados obtenidos al colocar el modelo deberían estar relativamente cercanos a los obtenidos con el transistor real. Usted recordará, del capítulo 1, que una de las uniones de un transistor en operación se polariza en forma directamientras que la otra se polariza inversamente. La unión directamente polarizada se comportará de manera muy parecida a un diodo (despreciando los efectos de los niveles cambiantes de VCE), como se verificó mediante las curvas de la figura 3.7. Para la unión de base-emisor del transistor de la figura 7.16a, el diodo equivalente de la figura 7.16b entre las mismas dos terminales parece ser bastanteapropiado. Para el extremo de salida, recuérdese que las curvas horizontales de la figura 3.8 revelaban que IC = Ie (como se dedujo de Ic = ð Ie) para el intervalo de valores de vce. La fuente de corriente de la figura 7.16b establece el hecho de que Ic = ð Ie con la corriente de control Ie que aparece en el extremo de entrada del circuito equivalente, como se indica en la figura 7.16a. Porconsiguiente, hemos establecido una equivalencia en las terminales de entrada y salida con la fuente controlada por corriente, proporcionando un vínculo entre las dos (una revisión inicial sugeriría que el modelo de la figura 7.16b es un modelo válido del dispositivo real).

Figura 7.16 (a) Transistor BJT de base común; (b) modelo re para la configuración de la figura 7.16a.
 
Recuérdese delcapítulo 1, que la resistencia de ca de un diodo puede determinarse mediante la ecuación rca = 26 mV/ID, donde ID es la corriente de cd a través del diodo en el punto Q (estático). Esta misma ecuación puede utilizarse para encontrar la resistencia de ca del diodo de la figura 7.16b si sustituimos simplemente la corriente de emisor, como se muestra a continuación:
re = 26 mV / IE
El subíndice e de re seeligió para enfatizar que es el nivel cd de la corriente de emisor que determina el nivel ca de la resistencia del diodo de la figura 7.16b. Al sustituir el valor resultante de re en la figura 7.16b se obtendrá el modelo de suma utilidad que se muestra en la figura 7.17:

Figura 7.17 Circuito equivalente re de base común.
 

A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada yde salida de la figura 7.17, debería ser bastante obvio que la impedancia de entrada Zi para la configuración de base común de un transistor fuera simplemente re. Es decir,
Zi = re
Para la configuración de base común, los valores típicos de Z, varían entre unos cuantos ohms y un valor hasta de alrededor de 50 ð .
Para la impedancia de salida, si establecemos la señal a cero, entonces Ie = O...