transistor BJT

Transistor bipolar (BJT).
Construcción interna y polarización.
Transistor de unión bipolar, también conocido por la iníciales de su denominación en ingles BJT (Bipolar Junction Transistor). El término bipolar hace referencia al hecho de que en la conducción de la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos).
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas.Podemos tener una zona de material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor PNP, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaríamos hablando de un transistor NPN.

La polarización del transistor consiste en aplicar las tensiones adecuadas a las uniones de emisor-base y colector -base que permitan situar al transistoren la región de funcionamiento adecuada a la aplicación que se persigue, en ausencia de la señal de entrada. Si la aplicación que se persigue es la utilización del transistor como amplificador, situaremos el punto de trabajo en aquella zona dónde tenga un comportamiento más o menos lineal.
La polarización del transistor se logra a través de los circuitos de polarización que fijan sus corrientesy tensiones. La elección de un circuito u otro dependerá de la aplicación y del grado de estabilidad que se desea del punto de polarización.

Transistor bipolar NPN.
Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C).
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en laterminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
• El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base.
• En la base se gobiernan dichos portadores.
•En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
•En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar labase.
• Unión emisor: es la unión pn entre la base y el emisor.
• Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.
• Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor.






Transistor bipolar PNP.
El BJT PNP está formado también por un cristal semiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas.
Laflecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
• Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del NPN.
• Las corrientes fluyen en sentido contrario al del NPN.
• Por lo demás, este dispositivo es similar al NPN.
• El BJT PNP desde el emisor emitehuecos, controlada por la base. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base va a parar al colector





Configuraciones del transistor (BJT).
Aunque el transistor posea únicamente tres terminales, se puede realizar su estudio como un cuadripolar (dos terminales de entrada y dos de salida) si uno de sus terminales es común a la entrada y salida:
– Base Común. La señal se aplica alemisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo detención.
–Emisor Común. La configuración de emisor común es la más usada. En él, el transistor actúa como un amplificador de la corriente y de la tensión. Aparte de los efectos de amplificación, también invierte latensión de señal, es decir, si la tensión es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el colector; pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna.
– Colector Común. Es muy útil pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja. La impedancia de entrada alta es una característica deseable en un amplificador pues, el dispositivo o...