transistor bjt

• El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o
sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, quepermite
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades(huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada bastante baja.

• Un transistor deunión bipolar está formado por dos Uniones PN en un
solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha.
De esta manera quedan formadas tres regiones:
• Emisor, que se diferencia de lasotras dos por estar fuertemente
dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que
esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separael emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.

CONSTITUCIÓN INTERNA DE UN BJT
• Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN
unidos en sentido opuesto.(Emisor,Base y Colector) • En función de la
situación de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP. • La unión
correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la
BaseColector en inversa. Así, porla unión Base-Colector circula una
corriente inversa.

CONFIGURACIONES DEL BJT
• Aunque el transistor posea únicamente tres terminales, se puede
realizar su estudio como un cuadripolo (dos terminalesde entrada y
dos de salida) si uno de sus terminales es común a la entrada y salida:
– Base Común.
– Emisor Común.
– Colector Común

ECUACIONES DEL DISPOSITIVO
• Aplicando la 1ª Ley de Kirchhoff alBJT:
• El parámetro α del BJT es el cociente corriente colector y corriente de
emisor:
• α oscila entre 0,9 y 0,999. Así pues, es el colector quien proporciona
la mayor parte de corriente del...