Transistor - características constructivas

2.- Características Constructivas.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en tanto que el último recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarización de cd adecuada. Lapolarización de cd es necesaria para establecer una región de operación apropiada para la amplificación de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo p o n. En los transistores que se muestran en la figura 3.2, la relación entre el ancho total y el de la capacentral es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es también considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el número de portadores "libres".
En la polarización que se muestra en la figura 3.2, las terminales se han indicadomediante letras mayúsculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base. Una justificación respecto a la elección de esta notación se presentará cuando estudiemos la operación básica del transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction transistor =transistor de unión bipolar) se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que loselectrones y los huecos participan en el proceso de inyección en el material polarizado opuestamente. Si sólo uno de los portadores se emplea (electrón o hueco), se considera que el dispositivo es unipolar.
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Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.
Características técnicas de los transistores:

Las características técnicas de los transistores, se pueden considerar comotérminos o datos útiles para conocer las propiedades, comportamientos valores eléctricos de un transistor. Esos datos o valores característicos se suelen dar en forma de curvas o tablas.
Cuando los datos característicos son proporcionados en forma de curvas graficas, tales graficas son útiles tanto para determinar el comportamiento del transistor, como para calcular otros parámetros delmismo. Los diversos valores se derivan de ciertas mediciones eléctricas sobre diferentes y determinados montajes y bajo especiales condiciones de corriente y tensión aplicada en sus electrodos.
Entre las principales características de un transistor, podemos mencionar las siguientes:
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Características estáticas.- Las características estáticas de un transistor, se obtienen aplicandopotenciales de corriente directa a las diversos electrodos del mismo.

Características Dinámicas.- Estas características nos indican el comportamiento practico del transistor y se deducen mediante la inyección de los potenciales alternativos equivalentes a la tensión de señal; cuyos componentes se suman a los potenciales directos previamente aplicados a los electrodos del transistor.Curvas característica del colector.- esta curva grafica, nos indica los cambios que sufre la corriente de colector en función de diferentes potenciales aplicados de colector a emisor, conservando una corriente constante en la base.

Família de curvas características de colector.- Curvas graficas, que nos indican los cambios que sufre la corriente de colector en función de los diversospotenciales aplicados de colectora emisor; en donde cada curva es trazada para una determinada corriente de base. Vea la fig. 10-55

Curvas características de transferencia.- Curva grafica, que nos indica los cambios que sufre la corriente de colector en función de los diversos potenciales aplicados entre la base y el emisor, para una tensión de colector especificada. Vea fig. 10-56.

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