Transistor Darlington
Páginas: 2 (294 palabras)
Publicado: 6 de julio de 2012
Transistor Darlington
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Diagrama de la configuración Darlington.
En electrónica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dostransistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.
La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingenierode los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número arbitrario de transistores queoriginaría la idea moderna de circuito integrado.
Comportamiento
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todointegrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Undispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmenteen inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlingtonse halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.
\beta_\mathrm{Darlington} =\beta_1 \cdot \beta_2 + \beta_1 + \beta_2
Si β1 y β2son suficientemente grandes, se da que:
\beta_\mathrm{Darlington} \approx \beta_1 \cdot \beta_2
Un inconveniente es la duplicaciónaproximada de la base-emisor de tensión. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:
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Diagrama de la configuración Darlington.
En electrónica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dostransistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.
La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingenierode los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número arbitrario de transistores queoriginaría la idea moderna de circuito integrado.
Comportamiento
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todointegrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Undispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmenteen inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlingtonse halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.
\beta_\mathrm{Darlington} =\beta_1 \cdot \beta_2 + \beta_1 + \beta_2
Si β1 y β2son suficientemente grandes, se da que:
\beta_\mathrm{Darlington} \approx \beta_1 \cdot \beta_2
Un inconveniente es la duplicaciónaproximada de la base-emisor de tensión. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:
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