Transistor de efecto de campo de union (jfet)

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
“ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”
VICERRECTORADO DE PUERTO ORDAZ
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
ELECTRÓNICA BÁSICA

PRÁCTICA N° 4
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)

Elaborado por:
Sección N1

Marzo 2011

INTRODUCCION:
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia detransistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa delos TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El contenido a var explica mucho mejor lafunción del jfet como transistor de efecto de campo

OBJETIVOS:

* Objetivos Generales:

Estudiar el comportamiento del transistor efecto de campo de unión (JFET).

* Objetivos Específicos:

Realizar el montaje del circuito: Configuración fuente común
Realizar las gráficas de las curvas características.

MATERIALES Y EQUIPOS UTILIZADOS

* Elementos requeridos:

1Transistor Efecto de Campo (Canal N) 2N5484.
Resistencias varias.
Cables de Conexión.

* Equipos Requeridos:

1 Fuente de voltaje CC
1 Microamperímetro.
1 Miliamperímetro,
1 Voltímetro digital.
1 Protoboard.





MARCO TEORICO

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, estoes, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que sesimplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar unatensión positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones IDentre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Paraun JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortándose la corriente para tensiones menores que Vp.
Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es también negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en función de la VGS vienen dados...