Transistor efecto de campo
CAMPO
METAL
OXIDO
Enriquecimiento (Enhancement) o de canal inducido tipo N o P (más utilizado) Empobrecimiento, Agotamiento (Depletion), Vaciamiento o de canal permanente tipo N o P.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
Metal
b
Óxido (SiO2) Región de fuente
Sustrato tipo p Región de canal Región de drenador
Fuente (S)
Compuerta (G)Metal
Drenador (D)
Oxido SiO2
Región del canal Sustrato tipo p (Cuerpo)
Cuerpo (B)
Estructura física del transistor NMOS de enriquecimiento: (a) perspectiva; (b) Sección transversal. Típico L = 1 to 10 µm, b = 2 a 500 µm, y el espesor de la capa de óxido está en el rango de 0,02 to 0,1 µm.
Capítulo 5 – FET 02 – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale
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CONCENTRACIÓN DEPORTADORES EN EL SUSTRATO tipo p
Aplicación de tensiones al dispositivo
t t
Capítulo 5 – FET 02 – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale
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CURVAS CARACTERÍSTICAS DE SALIDA
Tensión efectiva en la inducción de cargas negativas móviles en el canal VO = VGS – Vy – VT Con VGS – Vy es la tensión positiva total aplicada al canal en el punto y VT voltaje umbral necesario parainvertir la región p en n y formar el canal De 1 a 3 V controlado durante la fabricación. Positivo para canal n
Se forma un condensador de placas paralelas entre la compuerta y el cuerpo del MOSFET, con el óxido como dieléctrico. La carga de este condensador es, q’y = C’VO = C’(VGS – Vy – VT) cargas por unidad de superficie en y [C/m2]
C' =
ε
t
capacidad por unidad de superficie [F/m2]
q'y ( y ) =
ε
t
(V
ε
t
GS
− V y − VT ) carga por unidad de superficie a lo largo del canal en y
− V y − VT ) carga por unidad de longitud en el punto y del canal [C/m]
q" y ( y ) = b
(V
GS
y lo podemos asimilar a
dq ' y ( y ) dy
dy La corriente de electrones que el campo eléctrico anterior produce la podemos escribir como (recordar i = Anev = q”v),
Una tensiónVDS produce un campo eléctrico dado por E ( y ) = −
dV y ( y )
i = q" y vn ( y )
portadores, i =
donde
vn ( y ) =
dy = µ n E ( y ) es la velocidad de deriva de los dt
dq ' y dy = q" y v n dy dt
bµ n ε (VGS − V y − VT ) dV y dy t
Finalmente podemos escribir la corriente de drenador como,
I D = −i = q" y v n = q" y µ n E =
∫
L
0
I D dy = ∫
VDS
0
2 bµ nε VDS (VGS − V y − VT )dV y = bµ nC VGSVDS − − VTVDS 2 t
bµ nε V I D = KVDS VGS − VT − DS K = válida para VDS ≤ VGS - VT en la región óhmica 2 Lt
Capítulo 5 – FET 02 – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale 3
Para la párabola límite VGS – VDS = VT
2 VDS ID = K 2
VDS = VGS – VT
corriente de drenador en la región de saturación
K=
proceso [A/V2]bµ nε µ nε b b ' b = = µ nC = kn Lt t L L L
k’n parámetro de transconductancia del
CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA
La condición límite de la saturación es VGS – VDS = VT o VDS = VGS – VT, reemplazando ésta en la última ecuación tenemos la curva de transferencia dada por
ID =
K (VGS − VT )2 2
que es una parábola que se anula en VGS = VT
µn ≅ 580 cm2/Vs t = 0,02 a 0,1µm
C = 1,75fF/µm2 a 0,35 fF/µm2
ε = 3,97εo = 3,97x8,85x10-14 = 3,5x10-13 F/cm k’n = µnC = 100 µA/V2 a 20 µA/V2
Capítulo 5 – FET 02 – Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale
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TRANSCONDUCTANCIA
En la zona de saturación del MOSFET, equivalente a la zona activa del BJT, es decir en la zona lineal de las curvas características, definimos la transconductancia como
gm =
∂I D ∂VGS VDS
|Derivando la ecuación de la parábola de la característica de transferencia resulta,
g m = K (VGS − VT )
Resulta independiente de VDS y debe cumplirse que VGS > VT
CONDUCTANCIA DE SALIDA
Se la define como,
go =
∂I D ∆I D ≅ ∂V DS ∆V DS VGS = cte
|
En la zona de saturación go = 0 idealmente, se puede resolver gráficamente Tiene en realidad inclinación dada por la modulación...
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