transistor FET

República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Educación Superior
UPT “Clodosbaldo Russian”
Cumaná- Estado, Sucre





Transistor de Efecto de Campo (FET)

Integrantes:
Carlos Villafranca C.I: 23806618
Carla González C.I: 21096239
Nailet Yegres C.I: 23684381
Jesús Salvador C.I: 24512759
Oswaldo Rengel C.I: 25249334
Ing. Electrónica “01”Cumaná, marzo de 2013
Introducción
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastantebaja. 
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo donde el desempeño del transistor de efecto de campo (FET) fue propuesto por W. Shockley, en 1952. De ahí el nombre que rige la ecuación de este tipo detransistores: la llamada “Ecuación de Shockley.
Los Transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde el control de la corriente se realiza mediante un campo eléctrico. Tienen las siguientes características:
- Dispositivo unipolar: un único tipo de portadores de carga
- Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que supone una gran ventaja paraaplicaciones de microelectrónica
- Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de MΩ)
Existen dos tipos de transistores de efecto campo:
- De unión: JFET o simplemente FET
- De puerta aislada: IGFET, MOS, MOST o MOSFET




Concepto de Efecto de Campo (FET):
Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal"en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal.

Simbología:
Canal N: canal P:

Explicación de la combinación de portadores del FET:
           Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.
            En el caso de un diodopolarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.
            Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres 

Cuando seleccionamos un transistor tendremos queconocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumentael valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.
Explicación de sus elementos o terminales del FET:
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material “p” o “n”, llamada canal,...