transistor FET

Transistor F.E.T
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio, silicio, ó arseniuro de galio) con diferentescontaminaciones, que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control, mucho menor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia depotencial.


Tipos de F.E.T
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a labase del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o nocorriente entre drenador y fuente.
El JFET (Junction Field Effect Transistor), usa una union p-n
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET), usa un aislante (normalmente SiO2).
El MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor FET), substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.

Características
• Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
• No tiene un voltaje deunión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
• Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
• Es menos ruidoso.
• Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.Polarización de un Transistor FET
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) yla compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje –Vgg mas angosto es el canal y mas difícil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al...