TRANSISTOR IGBT
Páginas: 3 (681 palabras)
Publicado: 18 de noviembre de 2013
Transistor IGBT.
Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor)es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta delos transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistorbipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Representaciónsimbólica del transistor IGBT. a) Como BJT b) Como MOSFET.
Estructura.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados por unmetal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acción regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de laconstrucción, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la características de lasseñales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y untransistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. En la figuraII se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).
Funcionamiento.
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado...
Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor)es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta delos transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistorbipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Representaciónsimbólica del transistor IGBT. a) Como BJT b) Como MOSFET.
Estructura.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados por unmetal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acción regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de laconstrucción, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la características de lasseñales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y untransistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. En la figuraII se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).
Funcionamiento.
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado...
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