Transistor Igbt

TRANSISTOR IGBT

INTRODUCCION:
Durante muchos años se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese manejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideascon la unión de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de dispositivo de potencia y de esta forma se llego a la invención del igbt el cual será expuesto en el siguiente documento.
QUE ES ELIGBT:
La sigla IGBT corresponde a las iniciales del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbridoque combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El símbolo máscomúnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el TBJ.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivoelectrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece laventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito deexcitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 Khz. y ha sustituido al BJT enmuchas aplicaciones.
SIMBOLOGIA:
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su símbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.
[pic]Su estructura microelectrónica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente.

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Sección de un IGBT.

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CURVA CARACTERISTICA IGBT:

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