TRANSISTOR IGBT
Páginas: 6 (1303 palabras)
Publicado: 12 de julio de 2015
TRANSISTOR IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje desaturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo
Los transistores IGBT han sido muy útil en variadores de frecuencias, como en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada díaautomóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor, electrodoméstico, televisión,domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida
Símbolo del IGBT: Gate o Puerta (G), Colector ( C ) y Emisor (E)
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados enparalelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
El IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser igualmente altas
La tensión decontrol de puerta es de unos 15 V
Transistor de unión bipolar
En inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadoresde dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos)
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funcionacomo emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor
MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industriamicroelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
SUS CARARTERISTICAS:
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por estemotivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
Modos de operación
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales
Corte:
Cuando VGS < Vth
Donde Vth es la tensión de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se encuentraapagado. No hay conducción entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto
Región lineal u óhmica:
Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea una región de agotamiento en la región que separa el surtidor y el drenador, El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión...
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje desaturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo
Los transistores IGBT han sido muy útil en variadores de frecuencias, como en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada díaautomóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor, electrodoméstico, televisión,domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida
Símbolo del IGBT: Gate o Puerta (G), Colector ( C ) y Emisor (E)
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados enparalelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
El IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser igualmente altas
La tensión decontrol de puerta es de unos 15 V
Transistor de unión bipolar
En inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadoresde dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos)
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funcionacomo emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor
MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industriamicroelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
SUS CARARTERISTICAS:
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por estemotivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
Modos de operación
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales
Corte:
Cuando VGS < Vth
Donde Vth es la tensión de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se encuentraapagado. No hay conducción entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto
Región lineal u óhmica:
Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea una región de agotamiento en la región que separa el surtidor y el drenador, El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión...
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