Transistor Igbt.
Páginas: 7 (1613 palabras)
Publicado: 28 de febrero de 2013
INTRODUCCION
Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal en uno de los terminales controla el comportamiento en los otros dos. Se construyen principalmente de Silicio o Germanio.
Los transistores se utilizan normalmente en la amplificación de señales, fuentes de poder reguladas y como switches o interruptores, que es el funcionamiento que le daremosnosotros a lo largo de nuestra materia. Se tienen varios tipos de transistores, los cuales se pueden ubicar en dos grupos:
* BJT: Transistor Bipolar de Unión.
* FET: Transistor de Efecto de Campo.
Existe un transistor en el que se combinan estos grupos llamado IGBT (Transistor Bipolar de Compuerta Aislada). En este laboratorio abarcaremos básicamente el uso del transistor IGBT comointerruptor controlado por voltaje, conmutándolo en estado de corte y saturación.
JUSTIFICACION
El presente laboratorio se realiza para poner en práctica los conocimientos adquiridos en clase. Mediante la construcción de un circuito que se comporte como interruptor controlado por voltaje, en el se utilizara un transistor (IGBT), al cual se le aplicara una voltaje en su terminal de compuerta,colocando así el transistor en estado de saturación.
Mediante esta experiencia se podrá observar lo discutido y analizado en clase, acerca de que un transistor IGBT en saturación se comporta como un corto circuito entre el terminal del colector y el terminal del emisor. Y que mientras el voltaje en el terminal de la compuerta, no supere el voltaje umbral del transistor, el dispositivo se encontraratrabajando sobre la zona de corte o bloqueo, por tanto se evidenciara un circuito abierto entre las terminales de colector y emisor.
OBJETIVOS
Objetivo general:
* Analizar los estados de corte y saturación de un transistor bipolar de compuerta aislada.
Objetivos específicos:
* Polarizar el transistor IGBT en estado de saturación.
* Utilizar el transistor bipolar decompuerta aislada, como un interruptor.
* Montar un circuito utilizando un transistor IGBT configurado como emisor común.
* Polarizar el transistor IGBT en estado de corte.
MARCO TEORICO
TRANSISTOR IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado encircuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es comoel del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
CARACTERÍSTICAS
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energías como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchosdispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000voltios.
Circuito equivalente de un IGBT.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entradamuy débil en la puerta.
LM555
El circuito integrado 555 es de bajo costo y de grandes prestaciones. Inicialmente fue desarrollado por la firma Signetics. En la actualidad es construido por muchos otros fabricantes. Entre sus aplicaciones principales cabe destacar las de multivibrador estable (dos estados metaestables) y monoestable (un estado estable y otro metaestable), detector de...
Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal en uno de los terminales controla el comportamiento en los otros dos. Se construyen principalmente de Silicio o Germanio.
Los transistores se utilizan normalmente en la amplificación de señales, fuentes de poder reguladas y como switches o interruptores, que es el funcionamiento que le daremosnosotros a lo largo de nuestra materia. Se tienen varios tipos de transistores, los cuales se pueden ubicar en dos grupos:
* BJT: Transistor Bipolar de Unión.
* FET: Transistor de Efecto de Campo.
Existe un transistor en el que se combinan estos grupos llamado IGBT (Transistor Bipolar de Compuerta Aislada). En este laboratorio abarcaremos básicamente el uso del transistor IGBT comointerruptor controlado por voltaje, conmutándolo en estado de corte y saturación.
JUSTIFICACION
El presente laboratorio se realiza para poner en práctica los conocimientos adquiridos en clase. Mediante la construcción de un circuito que se comporte como interruptor controlado por voltaje, en el se utilizara un transistor (IGBT), al cual se le aplicara una voltaje en su terminal de compuerta,colocando así el transistor en estado de saturación.
Mediante esta experiencia se podrá observar lo discutido y analizado en clase, acerca de que un transistor IGBT en saturación se comporta como un corto circuito entre el terminal del colector y el terminal del emisor. Y que mientras el voltaje en el terminal de la compuerta, no supere el voltaje umbral del transistor, el dispositivo se encontraratrabajando sobre la zona de corte o bloqueo, por tanto se evidenciara un circuito abierto entre las terminales de colector y emisor.
OBJETIVOS
Objetivo general:
* Analizar los estados de corte y saturación de un transistor bipolar de compuerta aislada.
Objetivos específicos:
* Polarizar el transistor IGBT en estado de saturación.
* Utilizar el transistor bipolar decompuerta aislada, como un interruptor.
* Montar un circuito utilizando un transistor IGBT configurado como emisor común.
* Polarizar el transistor IGBT en estado de corte.
MARCO TEORICO
TRANSISTOR IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado encircuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es comoel del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
CARACTERÍSTICAS
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energías como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchosdispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000voltios.
Circuito equivalente de un IGBT.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entradamuy débil en la puerta.
LM555
El circuito integrado 555 es de bajo costo y de grandes prestaciones. Inicialmente fue desarrollado por la firma Signetics. En la actualidad es construido por muchos otros fabricantes. Entre sus aplicaciones principales cabe destacar las de multivibrador estable (dos estados metaestables) y monoestable (un estado estable y otro metaestable), detector de...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.